类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 30A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.2mΩ@10V,30A |
功率(Pd) | 3.3W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 26.5nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 3.545nF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 240pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SI4164DY-T1-GE3 是一款高性能的N沟道MOSFET(场效应管),由知名电子元件制造商VISHAY(威世)提供。该器件设计用于高频开关和电源管理应用,具有较低的导通电阻和优异的散热性能,能够在恶劣环境下稳定运行。它的额定漏源电压为30V,最大连续漏极电流可达30A,非常适合用于电源转换、电池管理和驱动电机等电子电路中。
漏源电压(Vdss): 30V
连续漏极电流(Id): 30A(在25°C的情况下)
栅源极阈值电压(Vgs(th)): 2.5V @ 250µA
漏源导通电阻(Rds(on)): 3.2mΩ @ 15A, 10V
最大功率耗散:
工作温度范围: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
输入电容(Ciss): 3545pF @ 15V
栅极电荷(Qg): 95nC @ 10V
SI4164DY-T1-GE3 MOSFET被广泛应用于多个领域,包括但不限于:
综合以上提到的特性,SI4164DY-T1-GE3是一款性能卓越的N沟道MOSFET,适合在多种应用场景下使用,其高效能、高可靠性使其成为众多设计师和工程师的理想选择。无论是在电源管理、高频开关还是电池管理方面,该器件都能提供稳定的工作性能,其良好的热特性和宽工作温度范围更是为其增添了不少竞争力。在选择场效应管时,SI4164DY-T1-GE3无疑是值得考虑的优秀选项。