SI4532CDY-T1-GE3
SI4532CDY-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 6A,4.3A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 47mΩ @ 3.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.78W | 类型 | N沟道和P沟道 |
| FET 类型 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A，4.3A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 47 毫欧 @ 3.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 9nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 305pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 2.78W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
SI4532CDY-T1-GE3手册
SI4532CDY-T1-GE3概述
SI4532CDY-T1-GE3 产品概述
SI4532CDY-T1-GE3 是由威世（VISHAY）生产的一款高性能场效应管（MOSFET），其设计通过集成N沟道和P沟道的功能，满足多种电子应用需求。这款MOSFET具有卓越的电气特性和广泛的工作温度范围，特别适合于电源管理、开关电源和高频应用的电路设计。以下是该器件的详细规格及其潜在应用场景。
主要规格
- 漏源电压（Vdss）: 30V
- 连续漏极电流（Id）: 6A (N沟道), 4.3A (P沟道) 在25°C时
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 3V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 47mΩ @ 3.5A, 10V
- 最大功率耗散: 2.78W (Ta=25°C)
- 栅极电荷（Qg）: 9nC @ 10V
- 输入电容（Ciss）: 305pF @ 15V
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C（TJ）
- 封装类型: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
电气特性分析
漏源电压和电流: SI4532CDY-T1-GE3 的最大漏源电压为30V，在保证高压下的安全操作同时，提供了6A（N沟道）和4.3A（P沟道）的连续漏极电流能力。这使得该器件能够在不同行业中充分应对功率需求。
低导通电阻: 通过具有47mΩ的漏源导通电阻，该MOSFET在开关过程中具有较低的功耗。这对于要求高电流低损耗的应用场合尤为重要，如电源转换器和电机驱动器中，都能显著降低热量产生。
高温性能: 适用的工作温度范围从-55°C到150°C，SI4532CDY-T1-GE3 可在极端环境中稳定工作，尤其适合航空航天、汽车电子和工业领域。
高效的开关特性: 结合9nC的栅极电荷，该MOSFET在高频应用时表现出良好的开关性能，适合高频开关电源设计，能够有效减少开关损失。
应用场景
开关电源: 由于其低导通电阻和高温稳定性，SI4532CDY-T1-GE3 在DC-DC转换器及其他电源管理电路中表现出色，能够提高整体转换效率。
电机控制: 凭借其高电流处理能力，该器件非常适合用于电机驱动和控制系统，能够平稳地处理高负载电流而不产生过多热量。
汽车电子: 它的广泛工作温度适应性使其在汽车电子领域（如电池管理系统、车载充电系统）中具有重要价值。
工业自动化: SI4532CDY-T1-GE3 还可以用于工业自动化设备中的开关控制，确保稳定的操作和较高的效率。
安装与封装
SI4532CDY-T1-GE3 采用表面贴装型8-SOIC封装，使得其在电路板上的安装方便，适合现代电子产品的小型化和轻量化设计需求。此封装形式有助于提高组装效率并减少占用空间。
总结
SI4532CDY-T1-GE3 是一款性能卓越、适应性强的N沟道和P沟道双MOSFET，具有广泛的应用领域。无论在电源转换、电机控制，还是在严苛的工作环境中，它都能够为设计者提供可靠的解决方案。通过其先进的电气特性和极低的功耗，SI4532CDY-T1-GE3 产品可助力各种电子设备提升性能，降低能耗，满足现代电子产品对高效能和高可靠性的严格要求。