类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 9A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 18.5mΩ@10V,9A |
功率(Pd) | 1.3W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.8V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 13nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 8.7pF@10V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 3.5pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品简介
SI4800BDY-T1-GE3 是由意法半导体(VISHAY)制造的一款高性能 N 沟道金属氧化物场效应管(MOSFET)。该器件的设计旨在满足各种功率管理和开关应用的需求,具有优异的电气特性和可靠性。作为一款表面贴装型元器件,SI4800BDY-T1-GE3 兼容现代电子产品的小型化和高效率要求。
关键参数
工作环境与可靠性
SI4800BDY-T1-GE3 的工作温度范围广泛,从 -55°C 到 150°C,使其在严苛环境下能够稳定工作。此外,该器件的封装为 SOIC-8,具有很好的散热能力和可靠性,适合自动贴装生产线(SMT)使用,降低了生产成本。
应用场景
SI4800BDY-T1-GE3 MOSFET 适用于多种电子电路,比如:
开关电源:其优良的导通电阻特性和可承受的电流范围使其适合用于 DC-DC 转换器等开关电源电路。
电机驱动:在电机控制应用中,该 MOSFET 可用于 H 桥配置以实现正反转控制。
电池管理系统:鉴于其低功耗和高效率特性,SI4800BDY-T1-GE3 可以在电池充放电控制系统中发挥重要作用。
消费电子:如移动设备、便携式音响等利用其小型化特点,使产品设计更为紧凑。
总结
SI4800BDY-T1-GE3 是一款设计优良的 N 沟道 MOSFET,具备多个优点,包括低导通电阻、广泛的工作温度范围以及适合各种应用的高电流能力。它出色的电气性能和可靠的封装设计,使其成为现代电子应用中的理想选择。其广泛的适用性及稳定性为设计工程师提供了极大的灵活性,能够满足高效率与高可靠性的系统需求。