SI4800BDY-T1-GE3

SI4800BDY-T1-GE3 MOSFET 产品概述

产品简介

SI4800BDY-T1-GE3 是由意法半导体（VISHAY）制造的一款高性能 N 沟道金属氧化物场效应管（MOSFET）。该器件的设计旨在满足各种功率管理和开关应用的需求，具有优异的电气特性和可靠性。作为一款表面贴装型元器件，SI4800BDY-T1-GE3 兼容现代电子产品的小型化和高效率要求。

关键参数

• 漏源电压（Vdss）：最大为 30V，这使得该MOSFET在较低电压应用中表现卓越，能够满足多种小型功率电路需求。
• 连续漏极电流（Id）：在 25°C 环境温度下，最大连续漏极电流为 6.5A，适合于中等功率的电流处理需求。
• 导通电阻（Rds On）：在 10V 的栅源电压和 9A 的漏极电流下，导通电阻最大为 18.5mΩ。这一低阻值意味着在正常工作条件下，可以减少功率损耗，提高整体电路的效率。
• 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：最小为 1.8V（@ 250µA），使该器件在低栅电压驱动下依然能够快速导通，适合于与低电平控制信号相结合的应用。
• 驱动电压：在 4.5V 至 10V 的栅源电压范围内工作良好，能够适应多种驱动电压设定。
• 功率耗散：在环境温度 25°C 时，最大功率耗散为 1.3W，为电路设计中提升散热性能提供了基础。

工作环境与可靠性

SI4800BDY-T1-GE3 的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，使其在严苛环境下能够稳定工作。此外，该器件的封装为 SOIC-8，具有很好的散热能力和可靠性，适合自动贴装生产线（SMT）使用，降低了生产成本。

应用场景

SI4800BDY-T1-GE3 MOSFET 适用于多种电子电路，比如：

1. 开关电源：其优良的导通电阻特性和可承受的电流范围使其适合用于 DC-DC 转换器等开关电源电路。

2. 电机驱动：在电机控制应用中，该 MOSFET 可用于 H 桥配置以实现正反转控制。

3. 电池管理系统：鉴于其低功耗和高效率特性，SI4800BDY-T1-GE3 可以在电池充放电控制系统中发挥重要作用。

4. 消费电子：如移动设备、便携式音响等利用其小型化特点，使产品设计更为紧凑。

总结

SI4800BDY-T1-GE3 是一款设计优良的 N 沟道 MOSFET，具备多个优点，包括低导通电阻、广泛的工作温度范围以及适合各种应用的高电流能力。它出色的电气性能和可靠的封装设计，使其成为现代电子应用中的理想选择。其广泛的适用性及稳定性为设计工程师提供了极大的灵活性，能够满足高效率与高可靠性的系统需求。