类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 6A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 22mΩ@6A,10V |
功率(Pd) | 1.7W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 27nC@10V | 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
产品名称: SI4850EY-T1-GE3
品牌: VISHAY(威世)
封装类型: 8-SO (表面贴装型)
SI4850EY-T1-GE3 是一款高性能的N沟道MOSFET,设计用于在各种电子应用中提供卓越的开关和放大功能。作为一种表面贴装型器件,这款MOSFET具备紧凑的封装,方便PCB布局设计,特别适用于空间受限的电子设备。
SI4850EY-T1-GE3 的特点使其适用于广泛的应用场景,包括但不限于:
SI4850EY-T1-GE3是VISHAY的一款高效、可靠的N沟道MOSFET,凭借其优良的电气特性和宽广的工作温度范围,非常适合用于多种电子应用。无论是在电源管理、电动机驱动还是负载开关中,它均能提供出色的性能,为设计师提供了更大的设计灵活性与系统效率提升的机会。在高频和高性能驱动电路中,SI4850EY-T1-GE3无疑是一个理想的选择。通过整合现代的表面贴装技术与VISHAY的可靠性,这款MOSFET将为各种电子产品的开发带来有效的支持。