SI4925DDY-T1-GE3

SI4925DDY-T1-GE3 产品概述

概述

SI4925DDY-T1-GE3 是由 VISHAY（威世）公司生产的一款双 P 沟道场效应管（MOSFET），设计用于多种电气和电子应用。这款 MOSFET 具有较高的性能参数，适用于需要稳定性和高效能的电路设计。其主要参数包括最大漏源电压为 30V，连续漏极电流可达 8A，功率最大值为 5W，工作温度范围为 -55°C 到 150°C。这些特性使得 SI4925DDY-T1-GE3 suitable for使用在电源管理、开关电源、马达驱动及其他功率管理的应用中。

主要参数

• 漏源电压 (Vdss): SI4925DDY-T1-GE3 的最大漏源电压为 30V，确保在多数低压电源应用中能够稳定工作。
• 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的环境温度下，该MOSFET 可以提供高达 8A 的连续漏极电流，能够适应多种输入电流需求。
• 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 在 250µA 的条件下，其阈值电压为 3V，这意味着在此电压下 MOSFET 开始导通，适合低驱动电压的应用。
• 漏源导通电阻 (Rds(on)): 在 7.3A 和 10V 驱动下，导通电阻为 29mΩ，强调了其优越的导电性能，能够降低功耗及热损耗。
• 最大功率耗散: SI4925DDY-T1-GE3 的最大功率耗散为 5W，确保在高压和高流状况下能够可靠工作。
• 工作温度范围: 该 MOSFET 的工作温度范围极宽，从 -55°C 到 150°C，适合各种极端环境应用。

导通/关断特性

SI4925DDY-T1-GE3 在不同 Id 和 Vgs 条件下的性能表现出色。在不同工作条件下，其导通电阻和栅极电荷（Qg）最大值分别为 29mΩ 和 50nC（在 Vgs 为 10V 时）。这样的低导通电阻和适度的栅极电荷使得该器件在高频开关操作中也能够有效地控制开关损耗.

输入电容

在 Vds 设定为 15V 时，输入电容 (Ciss) 为 1350pF，提供较高的输入阻抗。这使得在驱动电路时，能够保持较小的输入电流，进一步提高系统的整体效率。

封装及安装

SI4925DDY-T1-GE3 采用 8-SOIC 封装（0.154"（3.90mm 宽）），这款表面贴装型（SMD）产品在设计和安装上都能更方便和紧凑，适合集成到现代高密度电路板中。

应用场合

由于其卓越的电气性能和广泛的工作条件，SI4925DDY-T1-GE3 广泛应用于以下典型场合：

• 开关电源（SMPS）
• DC-DC 转换器
• 电动机驱动
• 冷却风扇控制
• 家用电器及可再生能源系统，如太阳能逆变器等

结论

VISHAY 的 SI4925DDY-T1-GE3 是一款高效的双 P 沟道 MOSFET，凭借其超低导通电阻、高耐压及大电流处理能力，成为现代电源管理和开关控制应用中的理想选择。设计师利用这款器件可以构建既高效又可靠的电力电子系统，满足快速发展的市场需求。