SI7192DP-T1-GE3 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SI7192DP-T1-GE3

商品编码: BM0000283188
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
PowerPAK® SO-8
包装 : 
编带
重量 : 
0.5g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 6.25W;104W 30V 60A 1个N沟道 PowerPAK-SO-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
4.86
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4.86
--
3000+
¥4.67
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

SI7192DP-T1-GE3参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)60A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.9mΩ@10V,60A
功率(Pd)66.6W阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)43.5nC@15V输入电容(Ciss@Vds)5.8nF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)90pF@15V工作温度-55℃~+150℃

SI7192DP-T1-GE3手册

SI7192DP-T1-GE3概述

产品概述:SI7192DP-T1-GE3 N沟道MOSFET

SI7192DP-T1-GE3是一款由VISHAY(威世)公司生产的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),其设计专注于提供优越的电流传输能力与高效能的散热特性。该MOSFET的关键参数和特性使其在多种应用中成为理想选择,特别是在电源管理、开关电源、DC-DC变换器及电动机驱动器等领域。

基本参数

  • 漏源电压(Vdss):最大30V,具备良好的耐压性能,适用于低电压系统。
  • 连续漏极电流(Id):在25°C条件下,最大可达60A,这使得其在高负载条件下依然能够稳定运行。
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)):为2.5V(@ 250µA),提供良好的开关性能,适合低驱动电压要求的应用场景。
  • 漏源导通电阻(Rds(on)):在20A和10V驱动电压下的导通电阻为1.9mΩ,表明其在导通时的功耗非常低,可以有效减少热量生成,提高整体系统效率。
  • 最大功率耗散:在环境温度25°C下,其最大功率耗散为6.25W,若在接触点(Tc)为25°C时可达104W,提供了良好的散热能力。

电气特性 SI7192DP-T1-GE3的输入电容(Ciss)在15V时的最大值为5800pF,确保其在高频开关场景下能够快速响应,提升开关速度和效率。此外,该器件的栅极电荷(Qg)最大值为135nC(@ 10V),在驱动方面表现出色,适合高频开关应用。它的Vgs最大值为±20V,展示了该器件的良好稳定性与耐受能力,适用于各种电驱动设计。

工作环境 该MOSFET适用于恶劣的工作环境,其工作温度范围为-55°C到150°C,能够满足多种工业和汽车应用的高温或低温要求。

封装特性 SI7192DP-T1-GE3采用PowerPAK® SO-8封装,支持表面贴装,为设计人员提供了更高的布局灵活性,并在狭小的空间中有效散热,适用于现代高性能电子产品的需求。该封装的紧凑设计确保了优良的电气性能与可靠性,更适合于需要高密度布置的电路板。

应用场景 凭借其卓越的规格和特性,SI7192DP-T1-GE3非常适合用于以下应用:

  1. 电源管理:在DC-DC转换器及各种电源开关电路中,以其低导通电阻和高连续电流能力,提供高效率的电源设计。
  2. 电动机驱动:在电机控制电路中,该MOSFET能够处理大量的电流,承受频繁开关的挑战,保证高效能驱动。
  3. 汽车电子:其高温性能和稳压特性使其在汽车电子应用(如电池管理系统和电源分配模块)中表现出色。
  4. 消费电子:在各类消费电子产品中,作为开关器件,提升系统的整体响应速度和效率。

总之,SI7192DP-T1-GE3 N沟道MOSFET凭借其卓越的电气性能、稳定的工作特性以及广泛的应用领域,成为工程师和设计人员在追求高性能和高效能设计的理想选择。无论是在工业、汽车,还是消费电子产品的设计中,该MOSFET都能满足现代电子设备对于高效率和可靠性的严格要求。