类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 60A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.9mΩ@10V,60A |
功率(Pd) | 66.6W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 43.5nC@15V | 输入电容(Ciss@Vds) | 5.8nF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 90pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品概述:SI7192DP-T1-GE3 N沟道MOSFET
SI7192DP-T1-GE3是一款由VISHAY(威世)公司生产的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),其设计专注于提供优越的电流传输能力与高效能的散热特性。该MOSFET的关键参数和特性使其在多种应用中成为理想选择,特别是在电源管理、开关电源、DC-DC变换器及电动机驱动器等领域。
基本参数
电气特性 SI7192DP-T1-GE3的输入电容(Ciss)在15V时的最大值为5800pF,确保其在高频开关场景下能够快速响应,提升开关速度和效率。此外,该器件的栅极电荷(Qg)最大值为135nC(@ 10V),在驱动方面表现出色,适合高频开关应用。它的Vgs最大值为±20V,展示了该器件的良好稳定性与耐受能力,适用于各种电驱动设计。
工作环境 该MOSFET适用于恶劣的工作环境,其工作温度范围为-55°C到150°C,能够满足多种工业和汽车应用的高温或低温要求。
封装特性 SI7192DP-T1-GE3采用PowerPAK® SO-8封装,支持表面贴装,为设计人员提供了更高的布局灵活性,并在狭小的空间中有效散热,适用于现代高性能电子产品的需求。该封装的紧凑设计确保了优良的电气性能与可靠性,更适合于需要高密度布置的电路板。
应用场景 凭借其卓越的规格和特性,SI7192DP-T1-GE3非常适合用于以下应用:
总之,SI7192DP-T1-GE3 N沟道MOSFET凭借其卓越的电气性能、稳定的工作特性以及广泛的应用领域,成为工程师和设计人员在追求高性能和高效能设计的理想选择。无论是在工业、汽车,还是消费电子产品的设计中,该MOSFET都能满足现代电子设备对于高效率和可靠性的严格要求。