SI7658ADP-T1-GE3

产品概述：SI7658ADP-T1-GE3 N沟道MOSFET

一、产品介绍

SI7658ADP-T1-GE3 是威世（Vishay）公司生产的一款高性能 N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），采用 PowerPAK® SO-8 封装。这款 MOSFET 以其出色的电气性能和高功率处理能力，广泛应用于电源管理、开关电源、DC-DC 转换器和功率放大器等领域。其设计和规格使其能在高压和高电流应用中表现出色。

二、关键参数

1. 封装/外壳：PowerPAK® SO-8，这种紧凑型封装有助于提高空间利用率，并降低电路板的整体面积。
2. FET类型：N沟道，提供高导电性，适合高效的开关操作。
3. 漏源极电压（Vdss）：30V，适用于多种中低压应用。
4. 连续漏极电流（Id）：在 25°C 环境下，最大可达 60A（Tc），在高负荷条件下表现良好。
5. 栅源电压（Vgss）：最大±20V，确保在不同设计需求下的兼容性和安全性。
6. 导通电阻（Rds(on)）：在 10V 的栅电压下，2.2 毫欧的导通电阻值显示出极低的功率损耗，提高了整体效率。
7. 工作温度范围：-55°C ~ 150°C（TJ），使其适合在极端温度条件下工作，适合航空、汽车及工业控制等应用。
8. 功率耗散：最大为 5.4W（Ta）及 83W（Tc），保证了 MOSFET 在持续负载下的稳定性和可靠性。

三、性能特点

1. 高效能：SI7658ADP-T1-GE3 具有良好的开关速度及低导通电阻，能够在高频率和高电流环境中有效降低热损耗。
2. 可靠性强：设计具备广泛的工作温度范围，为高可靠性应用提供保障，亦符合汽车认证要求。
3. 优异的栅极电荷特性：最大栅极电荷 (Qg) 为 110nC 在 10V 下，降低了驱动电路的复杂性，适合用于频繁开关的应用场景。
4. 适应性强：由于其多样化的电气规格，这款 MOSFET 可广泛适用于电源管理、DC-DC 变换器、汽车电子等多个领域。

四、应用领域

SI7658ADP-T1-GE3 N沟道 MOSFET 通常应用于以下领域：

• 电源管理：用于电源转换和分配，优化功率效率。
• 开关电源：提升开关电源的性能和稳定性，降低开关损失。
• DC-DC 转换器：提供高效的电压转换，确保供电系统的稳定性。
• 电动汽车及混合动力汽车：作为动力驱动控制电路中的关键元件，提供高效电流传输。
• 工业控制系统：在机械设备和自动化控制中提供稳定的电流控制。

五、总结

总体而言，SI7658ADP-T1-GE3 是一款高性能的 N沟道 MOSFET，具备出色的电气特性、低导通电阻和良好的热管理能力，适合于各类高效能电源应用。其稳定性和可靠性使其成为多种电子产品中的理想选择，从日常消费电子到复杂的工业系统均有广泛应用。无论是在选型还是在应用设计中，选择 SI7658ADP-T1-GE3 都会是一个明智的决策。