类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 9A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 11mΩ@14A,10V |
功率(Pd) | 1.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 20nC@5V | 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
SI7806ADN-T1-GE3 是 VISHAY(威世)公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET,采用 PowerPAK® 1212-8 封装,专为需要高效能、高可靠性的电路设计而设计。该 MOSFET 的漏源极电压(Vdss)为 30V,具有高达 9A 的连续漏极电流(Id),适用于各种电子设备和电源管理应用。
封装与外形:
电气特性:
开关特性:
功率与温度管理:
质量与可靠性:
SI7806ADN-T1-GE3 MOSFET 由于其卓越的电气特性和良好的热管理能力,广泛应用于以下领域:
电源管理:作为开关元件,在 DC-DC 转换器、AC-DC 转换器中用于控制电源的开关,提供高效率的电力传输。
电机驱动:适用于电机控制、步进电机驱动等场合,能够快速响应和处理高电流需求。
照明控制:在LED驱动电路中用作开关元件,能够提高照明效率和延长照明设备的使用寿命。
便携式设备:由于其小型化设计,适合用于各类便携式设备,如智能手机、平板电脑等,帮助提升功效与续航能力。
电池管理系统(BMS):在电池充放电过程中作为开关元件,确保电池的安全和效率。
综上所述,SI7806ADN-T1-GE3 是一款高效能的 N 沟道 MOSFET,具备 30V 的漏源极电压、9A 的连续漏极电流以及宽广的工作温度范围。其低导通电阻和快速开关特性使其在电源管理、电机驱动、照明控制等多个领域成为理想的选择。作为 VISHAY 精心设计和制造的产品,SI7806ADN-T1-GE3 代表了高性能 MOSFET 在现代电子设计中的重要地位,能够满足高效能和高可靠性的应用需求。