SIHA21N65EF-E3

SIHA21N65EF-E3 产品概述

产品简介

SIHA21N65EF-E3是VISHAY（威世）公司推出的一款高性能N沟道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），它采用TO-220-3封装，适用于各种高压和高电流的应用场合。这款MOSFET的额定电压为650V，连续漏极电流达到21A，功率耗散能力为35W，广泛应用于电源转换、马达驱动、开关电源和其他工业电子设备中。

主要特性

1. 高电压和高电流能力：

   • SIHA21N65EF-E3的漏源极电压（V_dss）高达650V，使其能够在各种要求高电压的应用中稳定工作。同时，其连续漏极电流（I_d）达到21A（在结温Tc下），提供了良好的导电性能。

2. 低导通电阻：

   • 该器件在11A和10V条件下，最大导通电阻（R_ds(on)）为180毫欧，这意味着在工作过程中能量损耗较小，有助于提高系统的效率和散热性能。

3. 宽广的工作温度范围：

   • SIHA21N65EF-E3的工作温度范围从-55°C到150°C，适应各种严苛环境条件，确保其在极端条件下也能正常运行。

4. 高栅极驱动电压：

   • 此MOSFET的最大栅源电压需确保在±30V之内，这使得设计者能够灵活选择适合的栅极驱动电路。

5. 适中的栅极电荷：

   • 在10V的栅源电压下，栅极电荷（Q_g）最大值为106nC，使得驱动电路设计相对简单，并且能够有效地减小开关损耗。

6. 较大的输入电容：

   • 在100V的漏源电压下，其输入电容（C_iss）最大值为2322pF，合理的输入电容使得其在高频应用中具备更好的性能。

应用场景

SIHA21N65EF-E3适合用于多种应用，包括但不限于：

• 开关电源： 其高效率和高功率处理能力使得这款MOSFET成为开关电源设计中的理想选择，能够有效降低能量损耗并提高系统稳定性。

• 马达控制： 由于其能够处理高电流且具备良好的导电性能，使其在马达驱动应用中表现出色，能够控制各种类型的电动机，如直流电动机和步进电动机。

• 照明驱动： 用于LED照明和其他照明设备的驱动阶段，能够确保在长时间运行下的可靠性和安全性。

• 电源管理系统： 其在高功率应用中的优势，特别适合用于不间断电源（UPS）和电池管理系统（BMS），能够提高系统的安全性和可靠性。

总结

SIHA21N65EF-E3是VISHAY推出的一款功能强大的N沟道MOSFET，凭借其650V的高电压、21A的电流能力及优秀的导通特性，成为电源管理和电动机控制应用中的重要选择之一。在确保器件长时间稳定工作的同时，还具备良好的散热和能效表现，适用于各种工业和商用电子产品，是现代电源设计不可或缺的基础元件之一。