类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 650V |
连续漏极电流(Id) | 21A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 180mΩ@11A,10V |
功率(Pd) | 35W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 106nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 2.322nF@100V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
SIHA21N65EF-E3是VISHAY(威世)公司推出的一款高性能N沟道金属氧化物场效应晶体管(MOSFET),它采用TO-220-3封装,适用于各种高压和高电流的应用场合。这款MOSFET的额定电压为650V,连续漏极电流达到21A,功率耗散能力为35W,广泛应用于电源转换、马达驱动、开关电源和其他工业电子设备中。
高电压和高电流能力:
低导通电阻:
宽广的工作温度范围:
高栅极驱动电压:
适中的栅极电荷:
较大的输入电容:
SIHA21N65EF-E3适合用于多种应用,包括但不限于:
开关电源: 其高效率和高功率处理能力使得这款MOSFET成为开关电源设计中的理想选择,能够有效降低能量损耗并提高系统稳定性。
马达控制: 由于其能够处理高电流且具备良好的导电性能,使其在马达驱动应用中表现出色,能够控制各种类型的电动机,如直流电动机和步进电动机。
照明驱动: 用于LED照明和其他照明设备的驱动阶段,能够确保在长时间运行下的可靠性和安全性。
电源管理系统: 其在高功率应用中的优势,特别适合用于不间断电源(UPS)和电池管理系统(BMS),能够提高系统的安全性和可靠性。
SIHA21N65EF-E3是VISHAY推出的一款功能强大的N沟道MOSFET,凭借其650V的高电压、21A的电流能力及优秀的导通特性,成为电源管理和电动机控制应用中的重要选择之一。在确保器件长时间稳定工作的同时,还具备良好的散热和能效表现,适用于各种工业和商用电子产品,是现代电源设计不可或缺的基础元件之一。