类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 35.8A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.7mΩ@10V,20A |
功率(Pd) | 6.25W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 27.5nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 4.365nF@30V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 177pF@30V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SIR662DP-T1-GE3 是由威世(VISHAY)生产的一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),专为高效率开关电源和快速开关应用而设计。该器件采用表面贴装型封装,符合现代电子设备对小型化和高效能的需求,特别是在空间受限的应用场景中表现优异。
导通电阻:在 10V 的栅极驱动电压下,导通电阻(Rds(on))可低至 2.7 毫欧,保证了 MOSFET 在大电流(20A)情况下的低能耗和高效率。这一特性使得 SIR662DP-T1-GE3 非常适合高功率负载的驱动,同时降低了发热量。
高电流承受能力:该 MOSFET 支持 60A 的连续漏极电流(在 25°C 的条件下),使其能够在高负载条件下稳定工作。此外,最大的功率耗散能力为 6.25W(TA)和 104W(TC),大大提升了器件的热管理能力。
广泛的工作温度范围:SIR662DP-T1-GE3 的工作温度范围在 -55°C 到 150°C 之间,使其适用于各种极端环境,保证了设备的稳定性和可靠性。
输入能力和驱动电压:在最大漏源电压(Vdss)为 60V 的情况下,输入电容(Ciss)为 4365pF @ 30V,且栅极电荷(Qg)为 96nC @ 10V,这一组参数表明该 MOSFET 在开关速度和驱动要求上表现优越,适合高频应用。
栅极源极阈值电压:最大栅源阈值电压(Vgs(th))为 2.5V @ 250µA,这意味着可以通过较低的驱动电压实现导通,进一步提升了电源管理的灵活性。
封装与安装:采用 PowerPAK® SO-8 封装,适合表面贴装技术(SMT),极大地便于自动化焊接和密集布局的要求。
SIR662DP-T1-GE3 MOSFET 广泛应用于:
开关电源:由于其高效率和优秀的导通特性,SIR662DP-T1-GE3 非常适合用于各种开关电源,同时也具备了较低的开关损耗。
电机驱动:高电流能力使其在电机驱动应用中表现出色,尤其是在需要快速切换的场景下。
LED 驱动器:高效率和稳定性使该器件在 LED 照明驱动中大有可为,可以有效降低能耗。
电池管理系统:在电池管理系统中此器件能提供高效的电流控制和可靠的过流保护,确保电池的安全性和稳定性。
SIR662DP-T1-GE3 是一款在高效能和多功能应用中表现优异的 N 沟道 MOSFET。其设计优点使其成为开关电源、LED 驱动以及电机驱动等领域的理想选择。针对现代电子产品在能效和小型化方面的挑战,SIR662DP-T1-GE3 以其卓越的电气性能和可靠性,无疑为电子设计提供了一种强大的解决方案。选择 SIR662DP-T1-GE3,不仅可以帮助企业实现更高的系统效率,还能在日益激烈的市场竞争中占得先机。