SIS407DN-T1-GE3 产品实物图片
SIS407DN-T1-GE3 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SIS407DN-T1-GE3

商品编码: BM0000283198
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
PowerPAK® 1212-8
包装 : 
编带
重量 : 
0.065g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 3.6W;33W 20V 25A 1个P沟道 PowerPAK1212-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.31
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.31
--
3000+
¥1.24
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

SIS407DN-T1-GE3参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)25A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)9.5mΩ@4.5V,25A
功率(Pd)3.6W阈值电压(Vgs(th)@Id)400mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)38nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)2.76nF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)370pF@10V工作温度-55℃~+150℃

SIS407DN-T1-GE3手册

SIS407DN-T1-GE3概述

产品概述:SIS407DN-T1-GE3

一、产品简介

SIS407DN-T1-GE3是一款高性能P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由知名电子元件制造商VISHAY(威世)推出。此款MOSFET采用了先进的PowerPAK® 1212-8封装,专为高效能和高密度电源应用而设计。其独特的电气特性和封装设计使其在各种电子设备中,尤其是在要求高效率和可靠性的电源管理系统中表现出色。

二、主要参数与特性

  1. 工作电流及功率

    • 连续漏极电流(Id):该产品在25°C的环境温度下,能处理高达25A的连续漏极电流,最大可达15.3A,具有极低的导通电阻(Rds(on))值,仅为9.5毫欧。这意味着在高负载情况下,设备将产生极少的发热,提高了系统的整体效率。
    • 功率耗散:在环境温度下(Ta),功率耗散最大可达3.6W,而在结温(Tc)下,则可达33W,允许更长时间的稳定运行。
  2. 电压特性

    • 漏源电压(Vdss):该MOSFET具有20V的漏源电压能力,适合用于低电压电源应用。
    • 门源阈值电压(Vgs(th)):其最大值为1V(在250µA下),确保MOSFET在较低的栅极电压下便能够实现导通。
  3. 栅极驱动与电容

    • 驱动电压:其门极驱动电压十分宽泛,最低为1.8V,最高可达4.5V,使得该元件兼容多种逻辑控制电路。
    • 栅极电荷(Qg):在8V驱动下,栅极电荷最大值为93.8nC,意味着开关速度较快,适合高频应用。
    • 输入电容(Ciss):在10V下测得的输入电容最大为2760pF,此特性对提高开关效率至关重要,尤其在高频率操作场合。
  4. 工作温度范围:SIS407DN-T1-GE3可在宽广的工作温度范围内运行,温度为-55°C到150°C,能够满足苛刻环境下的应用需求。

  5. 封装设计:采用PowerPAK® 1212-8封装,具有优越的热管理性能,能够有效散热,提升器件稳定性。同时,其表面贴装型的设计使安装简便,有利于缩小整体设计尺寸,提升产品的集成度。

三、应用场景

SIS407DN-T1-GE3由于其优越的电气性能和高温稳定性,使其非常适合以下领域的应用:

  • 电源管理:广泛应用于DC-DC转换器、充电器以及电源适配器中,以提高能量转换效率。
  • 高效电机驱动:适用于电动机驱动系统和电动工具,帮助实现高效运转。
  • 便携式电子设备:在移动通信、便携式音响等设备中,提供可靠的电源解决方案。
  • 工业和汽车领域:在混合动力汽车及工业自动化设备中,作为关键的功率开关元件。

四、总结

SIS407DN-T1-GE3 MOSFET以其出色的电流承受能力、低导通电阻、广泛的输入电压范围以及极高的工作温度适应性,为众多高效电源系统提供了理想选择。其独特的封装设计和优良的热管理能力,也为电路设计师带来了更大的灵活性与便利,确保系统在高负载和高温环境下的稳定运行。无论是消费电子、工业应用还是汽车电子,该MOSFET都体现了其高效能和高可靠性的优势,是进行现代电子产品设计的理想选择。