类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 25A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 9.5mΩ@4.5V,25A |
功率(Pd) | 3.6W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 400mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 38nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 2.76nF@10V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 370pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SIS407DN-T1-GE3是一款高性能P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由知名电子元件制造商VISHAY(威世)推出。此款MOSFET采用了先进的PowerPAK® 1212-8封装,专为高效能和高密度电源应用而设计。其独特的电气特性和封装设计使其在各种电子设备中,尤其是在要求高效率和可靠性的电源管理系统中表现出色。
工作电流及功率:
电压特性:
栅极驱动与电容:
工作温度范围:SIS407DN-T1-GE3可在宽广的工作温度范围内运行,温度为-55°C到150°C,能够满足苛刻环境下的应用需求。
封装设计:采用PowerPAK® 1212-8封装,具有优越的热管理性能,能够有效散热,提升器件稳定性。同时,其表面贴装型的设计使安装简便,有利于缩小整体设计尺寸,提升产品的集成度。
SIS407DN-T1-GE3由于其优越的电气性能和高温稳定性,使其非常适合以下领域的应用:
SIS407DN-T1-GE3 MOSFET以其出色的电流承受能力、低导通电阻、广泛的输入电压范围以及极高的工作温度适应性,为众多高效电源系统提供了理想选择。其独特的封装设计和优良的热管理能力,也为电路设计师带来了更大的灵活性与便利,确保系统在高负载和高温环境下的稳定运行。无论是消费电子、工业应用还是汽车电子,该MOSFET都体现了其高效能和高可靠性的优势,是进行现代电子产品设计的理想选择。