类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 1.03A;700mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 350mΩ@4.5V,200mA;700mΩ@4.5V,100mA |
功率(Pd) | 450mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 900mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 500pC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 37.1pF@10V;46.1pF@10V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 4.8pF@10V;4.9pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
DMC2400UV-13 是一种高性能的双极性MOSFET,包含一个N沟道和一个P沟道场效应管,封装形式为SOT-563,适用于各种电子电路的开关和放大应用。这种元件具有卓越的电气性能和优越的热管理能力,使其成为现代电子产品中不可或缺的核心元器件。该产品的设计考虑了能源效率、高功率密度及小型化的趋势,适合用于便携式设备、电源管理、高频开关电源和其他要求高效能的应用场景。
DMC2400UV-13 MOSFET广泛应用于以下领域:
DMC2400UV-13在市场中提供的竞争优势包括:
作为DIODES(美台)出品的高效场效应管,DMC2400UV-13以其卓越的电气性能、宽广的工作温度范围以及小巧的封装尺寸,在多种应用场景下提供了可靠的解决方案。无论是在电源管理、便携式设备、高频应用还是电动机控制中,这种MOSFET都能提供出色的性能和高效能,适合现代电子产品设计的需求。