DMG1013UW-7

DMG1013UW-7 产品概述

DMG1013UW-7 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET，专为中等功率应用设计。该器件由 DIODES（美台）公司制造，采用 SOT-323 封装，具有出色的电气性能和广泛的工作温度范围，适用于各种电子电路的关键角色。

基础参数

• 漏源电压（Vdss）: 20V
• 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 820mA
• 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 1V @ 250μA
• 漏源导通电阻 (Rds(on)): 750mΩ @ 430mA, 4.5V
• 最大功率耗散（Ta=25°C）: 310mW
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装类型: SOT-323

电气特性

DMG1013UW-7 的漏源电压为 20V，使其能够在中等电压环境中工作。其 25°C 时的连续漏极电流达到 820mA，适合许多低功耗应用。该器件的栅源极阈值电压为 1V，这使得它能够在较低的驱动电压下有效工作，提升了设计的灵活性。

导通时，DMG1013UW-7 提供更低的漏源导通电阻，最大值为 750mΩ。当漏极电流为 430mA 时，操作的电源电压为 4.5V。低的导通电阻可以减少功耗，提升能源效率，对于需要节能或工作时间较长的设备尤为重要。

驱动及控制特性

该 MOSFET 的驱动电压范围在 1.8V 到 4.5V 之间，使其可以与多种数字控制电路兼容。此外，栅极电荷 (Qg) 达到了 0.622nC @ 4.5V，这表明在开关状态之间切换时的能耗较低，从而提高了系统的响应速度和效率。

适用领域

DMG1013UW-7 特别适合用于以下应用场景：

1. 低功耗便携设备: 由于其低导通电阻和优异的散热设计，适合于手机、笔记本电脑及其他便携电子设备的电源管理。
2. 电机驱动: 在小型电机控制中，利用其高电流能力和稳健的性能。
3. 开关电源: 结合其高频性能，适用于开关电源的开关元件。
4. LED 驱动: 可用作 LED 驱动电路中的开关元件，提升发光二极管的工作效率及延长使用寿命。

结论

DMG1013UW-7 凭借其优越的性能参数、宽广的工作温度范围以及紧凑的 SOT-323 封装，成为了专业电路设计师的可靠选择。无论是在低功耗电子设备、LED 驱动，还是电机控制等领域，其出色的导电特性和低功耗表现都可以显著提升整体系统的效率。因此，DMG1013UW-7 是一款值得信赖的 P 沟道 MOSFET，适用于当前和未来各类电子产品的需求，是电子工程师设计电源管理方案时的理想选择。