DMN2028UFDH-7

DMN2028UFDH-7 产品概述

DMN2028UFDH-7是一款高性能的双N沟道场效应管（MOSFET），由美台（DIODES）生产，专为具有高效率和低功耗需求的电子应用而设计。其主要参数包括最大漏源电压（( V_{dss} )）为20V，连续漏极电流（( I_d )）在25°C时可达到6.8A，适合广泛的电源管理和开关应用。

1. 主要参数

• 漏源电压 (( V_{dss} )): 20V，意味着该MOSFET能够承受高达20V的漏电压，适用于低到中等级别的电压应用。
• 连续漏极电流 (( I_d )): 6.8A，这一参数表明在标准工作条件下，该元件可承载的最大连续电流，适合大多数负载驱动需求。
• 栅源极阈值电压 (( V_{gs(th)} )): 1V @ 250µA，这意味着它在1V的栅源电压下开始导通，显示出其良好的逻辑电平控制特性。
• 漏源导通电阻 (( R_{ds(on)} )): 最大20mΩ @ 4A, 10V，这样的低导通电阻有助于降低开关损耗提高系统效率。
• 最大功率耗散: 1.1W，这一参数反映了在指定的环境温度下，该MOSFET能够稳定工作的最大功率，可确保设计的可靠性。

2. 工作温度及可靠性

DMN2028UFDH-7的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，确保在极端环境条件下也能正常工作。此外，其采用表面贴装型（SMT）和PowerDI3030-8封装，使得安装简便，同时进一步提升了散热效率与系统集成度。

3. 电气特性

• 输入电容 (( C_{iss} )): 151pF @ 10V，这一电容值对于高速开关应用尤其重要，较低的输入电容能够提升开关速度，降低切换损耗。
• 栅极电荷 (( Q_g )): 8.5nC @ 4.5V，较小的栅极电荷使其在开关过程中具有更快的响应能力，并能够减少驱动电路的功率需求，进而提高整个系统的效率。

4. 应用场景

DMN2028UFDH-7作为逻辑电平门MOSFET，广泛应用于各种电子设备中，如DC-DC转换器、电机驱动、电源管理、负载开关等领域。它的特性使其适合于低压、高频率的开关电源设计，例如UPS（不间断电源）中的开关应用，以及电动工具、便携式设备和家电控制等领域。

5. 结论

总之，DMN2028UFDH-7是一款集成度高、性能卓越的双N沟道MOSFET，具备出色的电气特性和宽广的应用范围。其设计优良，能够在各种复杂的电源管理应用中提供稳定的性能，满足现代电子设备对高效能与低功耗的需求。随着电子技术的发展，对于更小型、高效率元件的需求在不断增加，DMN2028UFDH-7无疑是满足这一需求的有力选择。