DMN26D0UDJ-7
DMN26D0UDJ-7参数
| 类型 | 2个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 240mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3Ω@4.5V,240mA |
| 功率(Pd) | 300mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.05V@250uA |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 14.1pF@15V | 反向传输电容(Crss@Vds) | 1.6pF@15V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMN26D0UDJ-7手册
DMN26D0UDJ-7概述
产品概述：DMN26D0UDJ-7
DMN26D0UDJ-7 是由美台（DIODES）公司生产的一款高性能双N沟道场效应管（MOSFET），设计用于实现高效能、低功耗的电子电路。适用于各种低电压、小信号开关应用，特别是在消费电子、通信设备和工业控制等领域中，DMN26D0UDJ-7 以其出色的规格和稳定性，成为电子设计师的首选部件之一。
关键参数与特性
漏源电压 (Vdss)：DMN26D0UDJ-7 的最大漏源电压为20V。这意味着该器件能够在不损坏的情况下承受高达20V的漏极至源极电压，适合于多种中低电压应用。
连续漏极电流 (Id)：在25°C 的环境温度下，DMN26D0UDJ-7 可提供240mA 的持续漏极电流。这一特性使得器件在需要承载较大电流的电路中仍保持稳定工作，适用于电机驱动和负载开关。
栅源极阈值电压 (Vgs(th))：该器件的栅源极阈值电压为1.05V @ 250µA，提供了良好的逻辑电平兼容性。设计师可以使用5V或更低的驱动电压来有效控制该MOSFET的开启和关闭。
漏源导通电阻 (Rds(on))：在4.5V时，DMN26D0UDJ-7 的漏源导通电阻为3Ω @ 100mA，表明在开启状态下器件的电流损耗较低，有助于提高系统的整体能效并减少发热。
功率 - 最大值：该器件的最大功耗为300mW，适应性强，能够在多种条件下稳定工作，但在设计时需要考虑散热设计，以确保器件的可靠性和使用寿命。
工作温度范围：DMN26D0UDJ-7 工作温度范围广泛，从-55°C 到 150°C，使其适用于极端环境的应用，具有良好的热性能和耐用性。
封装类型：采用SOT-963表面贴装封装，尺寸小巧，易于在电路板上布局和焊接，适合于现代紧凑型电子设备的设计需求。
输入电容 (Ciss)：在15V时，其输入电容最大值为14.1pF，表明它在高频操作中的表现良好，使得此器件适应高速开关的需求。
应用领域
DMN26D0UDJ-7 凭借其优异的电气特性和高耐温性能，广泛应用于多个领域，包括但不限于：
消费电子：如智能手机、平板电脑和电子游戏机，尤其是在电源管理和信号切换的场合。
通信设备：适用于路由器、交换机等高效能通信设备中的功率开关和信号调节。
工业控制：可在各种自动化设备中作为开关器件，控制电流的流动或切换不同的控制信号。
总结
DMN26D0UDJ-7 是一款功能强大的双N沟道MOSFET，结合了高电流能力、低导通电阻和宽广的工作温度范围，成为设计师在现代电子产品中进行电源管理和信号处理的理想选择。凭借其可靠的性能和小巧的封装，DMN26D0UDJ-7 能够满足严苛应用对高效能和可靠性的需求，为用户提供更好的设计解决方案。