DMN6075S-7

DMN6075S-7 产品概述

产品名称：DMN6075S-7
类型：N沟道MOSFET
品牌：DIODES（美台）
封装：SOT-23

产品背景

DMN6075S-7 是一款高性能的 N 型沟道 MOSFET，主要用于允许在高压和大电流条件下的电子开关，适合多种应用，包括电源管理、低侧开关、负载开关和驱动电路等。由于其优秀的电流承载能力和低导通电阻，DMN6075S-7 特别适合于需要高效电力传输和热管理的应用。

主要规格

• 漏源电压 (Vdss)：60V
  该特性使得 DMN6075S-7 能够在较高电压环境中稳定工作，非常适合于汽车电子、工业控制和通信设备等要求使用较高电压的场合。

• 连续漏极电流 (Id)：2A（在25°C下）
  在标准工作条件下，该器件能够稳定输出 2A 的电流，使其理想适用于多种负载驱动和切换应用。

• 栅源极阈值电压 (Vgs(th))：3V @ 250µA
  体现其在较低的栅极驱动电压下便能进入开启状态，这样可与一般控制电路配合良好，为节省功耗与提升系统效率做出贡献。

• 漏源导通电阻 (Rds(on))：85mΩ @ 3.2A, 10V
  较低的导通电阻意味着在导通状态下的功耗极低，能够减少热量产生，从而提高整体系统的效能与可靠性。

• 驱动电压：4.5V，10V
  该MOSFET支持的驱动电压范畴使其兼容多种控制电路，既可以在较低电压下稳定工作，也能在高电压条件下达到最佳性能。

• 输入电容 (Ciss)：606pF @ 20V
  该特性有助于提升开关速度，降低开关损耗，从而提高整体效率。

• 最大功率耗散：800mW （Ta=25°C）
  可应对相对较高的功率需求，尤其在高负载条件下依然能够保持安全运行。

• 工作温度范围：-55°C 至 150°C
  确保在极端气候条件下依然可保持稳定的工作性能，适合用于航空航天、汽车等要求严格的应用场合。

• 栅极电荷 (Qg)：12.3nC @ 10V
  低栅极电荷有助于提升开关速度和响应时间，非常适合高频应用。

应用领域

DMN6075S-7广泛应用于：

1. 电源管理：高效电源转换电路、DC-DC转换器及电源开关。
2. 低侧开关：用于负载的控制，如电机驱动、灯光调节等。
3. 负载开关：在电子设备中实现功率开关功能，有效提高系统效率。
4. 通信设备：在基站、路由器及网络设备中提供稳健的开关性能。

设计优点

• 高效能：超低导通电阻和低功耗特性，使其在负载情况下表现出色，从而减少能量损耗，提高能源利用率。
• 热管理：高功率耗散能力和宽工作温度范围，可以有效地处理电路中的发热问题。
• 安装便利：SOT-23封装小巧灵活，适合于多样化的电路设计和空间受限的应用。

DMN6075S-7 是一款经过精心设计与测试的 N 沟道 MOSFET，为设计工程师提供了一种极具优势和适用性的电子元件选择。无论是在工业自动化、汽车电子还是消费类电子产品中，其均能满足严苛的性能要求，并提供可靠的解决方案。