DMN63D8LV-7

DMN63D8LV-7 产品概述

简介

DMN63D8LV-7 是一款高性能的双N沟道场效应管（MOSFET），专为高频率和低功耗应用而设计，适用于各种数字逻辑电路和开关应用。其双N沟道结构使其不仅具有优秀的电气性能，而且为设计者提供了灵活的电路设计选择。该器件主要应用于移动设备、计算机、消费电子产品、电源管理以及其他需要高效能和小体积的电子产品。

关键参数

• 漏源电压 (Vdss): 30V
• 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 时达到 260mA
• 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 1.5V @ 250µA
• 漏源导通电阻 (RDS(on)): 2.8Ω @ 200mA, 10V
• 功率 - 最大值: 450mW (在 25°C 环境下)
• 工作温度范围: -55°C 至 150°C
• 封装类型: SOT-563

设计优势

1. 低导通损耗: DMN63D8LV-7 具备较低的漏源导通电阻，使得在高频开关工作时，能够显著减少导通损耗，提升系统整体效率。在持续电流260mA的情况下其导通电阻仅为2.8Ω，适合需要高电流的应用场合。

2. 高阈值电压: 栅源极阈值电压为1.5V，使该器件能够与逻辑电平兼容的控制信号相连，简化了电路的设计与实施，特别是在低电压系统中表现更加出色。

3. 高工作温度范围: 该MOSFET的工作温度范围广泛，从-55°C至150°C，确保其在严苛环境下的稳定性和可靠性，适合航空和汽车电子等应用场合。

4. 小型封装: SOT-563和SOT-666封装使得该MOSFET非常适合于空间受限的设计。其表面贴装型的设计也便于现代自动化生产线的应用，提高生产效率。

5. 快速开关速度: 由于其小的栅极电荷QG（0.87nC @ 10V），DMN63D8LV-7 可以实现快速的开关操作，有效增强高频应用中的性能，适合，比如DC-DC转换器等要求快速开关的电路。

应用场景

DMN63D8LV-7 可广泛应用于：

• 电源管理: 由于其低导通电阻和低功率耗散，特别适用于DC-DC转换器、线性稳压器和电池管理系统。
• 逻辑电平“开关”: 由于其符合逻辑电平的特性，该器件非常适合用作微控制器和数字信号处理器的控制开关。
• 消费电子: 应用于移动电话、平板电脑和其他便携设备中，以最大限度地提高能效并延长电池寿命。
• 汽车电子: 由于其宽温度工作范围，该器件可以在汽车电气系统和控制模块中应用，保证在各种环境条件下都能稳定工作。

综合以上特点，DMN63D8LV-7 是一款非常有吸引力的双N沟道MOSFET，适用于多种应用场景，能够满足现代电子产品对于小型化、高效能和高可靠性的需求。无论是在工业、消费电子还是汽车电子领域，这款器件都具备极高的适应性和出色的性能表现。