DMN63D8LW-7

DMN63D8LW-7 产品概述

产品简介

DMN63D8LW-7 是一款高性能的N沟道MOSFET，专为要求小型化和高效率的应用而设计，采用SOT-323及SC-70封装。它在低电压和高频率的工作环境中表现出色，适合用于消费电子、便携设备、电源管理、电机控制等众多领域。

技术参数

1. 封装类型：

   • SOT-323和SC-70形式因其小巧的结构和适合表面贴装（SMT）工艺的特点，广泛应用于空间受限的电路设计中。

2. 电源与电流特性：

   • 漏源极电压（Vdss）：30V，确保其在各种应用中能够承受较高的电压。
   • 连续漏极电流（Id）：380mA（在25°C时），适合中低功率应用。
   • 功率耗散（最大值）：300mW，提供有效的热管理，确保可靠工作。

3. 栅极-源极电压（Vgss）：

   • 最大值为±20V，允许灵活的驱动电压，便于适应不同电路的需求。

4. 导通电阻：

   • 在10V Vgs条件下，最大导通电阻（Rds(on)）为2.8Ω（@250mA），能显著降低功耗，并提高电路效率。

5. 阈值电压（Vgs(th)）：

   • 最大值保持在1.5V（@250µA），这使得在低电压情况下管子能够顺利导通，增加了电路的灵敏度。

6. 栅极电荷：

   • 最大栅极电荷（Qg）为0.9nC（@10V），低栅极电荷意味着这个MOSFET在开关操作时所需的驱动功率小，有助于提高开关频率并降低热量损耗。

7. 输入电容：

   • 输入电容（Ciss）为23.2pF（@25V），有助于提高高频率下的开关速度，降低延迟。

工作温度范围

DMN63D8LW-7 能够在-55°C至150°C的广泛温度范围内工作，保证在极端条件下的稳定性和可靠性，为工业和汽车电子应用提供了极大的灵活性。

应用领域

• 消费电子：适用于手机、平板电脑、便携式音频设备及其他便携式设备的电源管理电路。
• 电源管理：可用作低压高效的开关电源设计中的开关元件。
• 电机控制：适用于步进电机和直流电机的驱动，能够提供平稳的控制效果。
• 汽车电子：高温及高效能使其成为汽车控制应用中理想的选择。

结论

DMN63D8LW-7作为一款高性能的N沟道MOSFET，在各类电子应用中展现了优良的性能，包括低导通电阻、优异的功耗特性和广泛的工作温度范围。它的表面贴装封装设计使其更容易集成到现代紧凑型电路中，是各种电子产品的理想选择。若您在寻找一款可靠、高效且经济适用的MOSFET，DMN63D8LW-7将是您的不二之选。