类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 600mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 900mΩ@4.5V,430mA |
功率(Pd) | 550mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 500mV@250uA |
输入电容(Ciss@Vds) | 175pF | 反向传输电容(Crss@Vds) | 20pF |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMP2004K-7是一款高性能的P沟道金属氧化物场效应晶体管(MOSFET),其设计针对在尺寸受限的应用中提供出色的电气性能。该器件以SOT-23-3封装为主,拥有强大的电流承载能力和低导通电阻,使其在各类电源管理和负载切换应用中表现出色。
漏源电压(Vdss): 该器件的最大漏源电压为20V,适用于许多中低压应用场景。由于其良好的电压控制特性,可以满足对电源稳定性和系统保护的要求。
连续漏极电流(Id): DMP2004K-7在25°C的条件下支持600mA的连续漏极电流,使其能够处理多种负载情况下的电流需求。同时其工作在高温环境下时,仍然保持稳定的性能。
栅源极阈值电压(Vgs(th)): 该器件的栅源极阈值电压为1V@250µA,这意味着在较低的栅源电压下即可实现有效导通,为电路设计提供了更大的灵活性。
漏源导通电阻(Rds(on)): 在4.5V栅源电压和430mA的条件下,DMP2004K-7的最大导通电阻为900mΩ,低导通电阻有助于减小能量损耗并提升转换效率,非常适合用于高效的电源管理和开关应用。
最大功率耗散: 器件在25°C的环境温度下的最大功率耗散为550mW,这使得DMP2004K-7可以在多个安全工作区域内运行,有效防止过热问题。
工作温度范围: DMP2004K-7的工作温度范围为-55°C至150°C,提供了广泛的适用性,特别是在高温或极端工况下运行的应用需求。
DMP2004K-7采用流行的SOT-23封装(TO-236-3和SC-59),这使得其在PCB布局及表面贴装技术(SMT)应用中非常方便,同时也与多个其他类似封装的元件高度兼容。这种紧凑型的封装有助于在空间受限的设备中进行电路设计,减少整个系统的尺寸。
DMP2004K-7广泛应用于:
DMP2004K-7是一款高效且灵活的P沟道MOSFET,其卓越的电气性能和广泛的工作温度范围使其成为多种应用中的理想选择。凭借低导通电阻、高电流承载能力和优秀的功率耗散特性,DMP2004K-7能够满足现代电子设备不断变化的需求。无论是在移动设备、电源管理电路还是自动化系统中,DMP2004K-7都能够提供可靠的解决方案,是电子工程师在设计过程中不可或缺的元件之一。