类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 3A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 72mΩ@4.5V,3.5A |
功率(Pd) | 1.4W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 600mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 7.3nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 443pF@16V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 101pF@16V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMP2123L-7 是一种高效能的 P 沟道 MOSFET,专为负载开关和功率管理应用设计。该元件采用小型 SOT-23 封装,具有低导通电阻和宽工作温度范围,使其在便携式设备和高性能电路中具备优异的应用性能。其关键参数包括漏源电压(Vdss)为 20V、连续漏极电流(Id)为 3A,以及栅源极阈值电压(Vgs(th))为 1.25V,适合多种电子电路设计。
电气性能:
温度特性:
驱动电压:
小型封装:
其他参数:
DMP2123L-7 MOSFET 适合多种应用场景,包括:
在电路设计中,选用 DMP2123L-7 MOSFET 时,需要考虑加载条件与散热情况。在较高的漏极电流下,需确保其功耗不超过最大额定值 1.4W,以避免组件过热导致潜在的损坏。由于其宽工作温度范围,该器件在多种环境下均能保持稳定性能,优异的热性能使其在苛刻工作条件下依然可靠。
DMP2123L-7 为设计工程师提供了一种高效、可靠的小型 P 沟道 MOSFET 解决方案,适合广泛的电源管理和负载开关应用。其出色的电气特性与小巧的封装设计,使其在现代电子设备的设计中表现出色。作为 DIODES(美台)公司的组件,客户可放心选择 DMP2123L-7 来优化他们的产品设计,实现更高的性能与效率。