类型 | 2个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 40V |
连续漏极电流(Id) | 6.1A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 25mΩ@10V |
功率(Pd) | 1.8W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.3V@3A |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 14nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.64nF@20V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 128pF@20V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMP4025LSD-13 是由DIODES(美台)推出的一款高性能双P沟道场效应管(MOSFET),其设计旨在满足各种高效能电源管理和开关控制应用的需求。这款MOSFET特别适合用于低电压直流电源转换和高频开关电路,并高度兼容逻辑电平信号的控制。
DMP4025LSD-13 的主要电气特性包括:
DMP4025LSD-13 的应用范围广泛,主要包括但不限于:
DMP4025LSD-13 作为一款双P沟道MOSFET,凭借其高效的电气性能、优异的热管理能力和合理的封装设计,为广大电子设计师和工程师提供了一个可信赖的解决方案。无论是在电源管理、汽车、工业控制,还是消费电子市场,这款器件都表现出令人期待的能力,适合寻求高效率和高集成度的现代电子设备开发的需求。其出色的性价比也使其成为市场上备受欢迎的选择。