类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 50V |
连续漏极电流(Id) | 180mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 10Ω@5V,0.1A |
功率(Pd) | 310mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@1mA |
输入电容(Ciss@Vds) | 24.6pF@25V | 反向传输电容(Crss@Vds) | 2.8pF@25V |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMP510DL-7是一款由DIODES(美台)公司生产的P沟道MOSFET场效应管,具有优良的性能特点和广泛的应用潜力。它的封装类型为SOT-23,这种小型化的表面贴装封装使其非常适合于紧凑型电子设备和电路板设计中,能够有效节省空间。
DMP510DL-7的关键参数包括:
DMP510DL-7MOSFET的特点使其成为多个应用领域的理想选择。典型应用包括:
DMP510DL-7提供了一系列设计优势:
总之,DMP510DL-7是一款具备高性能和高可靠性的P沟道MOSFET,适合多种电子应用,能够有效提升电路设计的效率和稳定性。其强大的规格和多样化的应用前景,不仅满足了市场的需求,同时也为设计师提供了更大的设计灵活性。无论是在消费电子、工业控制,还是电源管理领域,DMP510DL-7都是一种可靠的解决方案。