类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 1.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 350mΩ@10V,900mA |
功率(Pd) | 720mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 4.1nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 206pF@30V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
DMP6350S-7 是一款由 DIODES(美台)公司推出的 P 通道 MOSFET(场效应晶体管),主要用于各种电源管理和开关应用。这款器件在设计上具有优异的电气性能和可靠性,适用于各种电子设备和电路中需要高效率、低干耗的场合。
DMP6350S-7 的关键规格如下:
此外,DMP6350S-7提供的栅极驱动电压在不同条件下亦有所不同,其中最大 Rds(On) 在 4.5V 和 10V 下的表现都相对优异。这使得产品在电源开关和驱动电流的应用中极具竞争力。
DMP6350S-7 采用 SOT-23(TO-236-3, SC-59)表面贴装型封装。这种紧凑的尺寸允许设计师在空间受限的应用中轻松集成该器件,适合现代电子产品对于小型化和高集成度的需求。此外,SOT-23 封装在生产和装配过程中相对容易处理,进一步降低了连接和焊接不良的风险。
DMP6350S-7 是一款多用途的 MOSFET,适用于许多不同的应用场景,包括但不限于:
DMP6350S-7 P 通道 MOSFET 是一款在许多电源管理和开关应用中表现卓越的电子元件。其满足高效、低功耗设计需求的能力使其成为现代电子产品设计中不可或缺的组成部分。无论是在严苛的环境条件下工作,还是在要求空间紧凑性的设计中,此款 MOSFET 都能为开发者提供可靠且高效的解决方案。通过结合其出色的电气特性与便捷的安装方式,DMP6350S-7 适合于广泛的应用领域,是电子工程师在产品设计中值得推荐的理想选项。