DTC014YMT2L
DTC014YMT2L参数
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 功率(Pd) | 150mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 80@5mA,10V |
| 最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 1.7V@5mA,0.3V | 输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 150mV@5mA,0.5mA |
| 输入电阻 | 10kΩ | 电阻比率 | 4.7 |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DTC014YMT2L手册
DTC014YMT2L概述
DTC014YMT2L 产品概述
产品名称: DTC014YMT2L
制造商: ROHM(罗姆)
封装形式: SOT-723 (VMT3)
一、产品简介
DTC014YMT2L是ROHM公司推出的一款高性能NPN预偏置数字晶体管，专为需要低功耗和高频率特性的电子电路设计而开发。该器件的特性使其非常适合用于各种数字电路、开关控制和信号放大等应用场景。
二、主要参数
封装与外壳: DTC014YMT2L采用SOT-723封装，这是一种小型表面贴装(SMT)工艺的封装形式，非常适合于追求高密度布局的小型电子设备。
晶体管类型: NPN-预偏压，能够在较低的基极电流下达到良好的工作状态，从而提高整体效率和可靠性。
电压和电流:
- 集射极击穿电压 (V(BR) CEO): 最大可达50V，能够在多种高压环境下稳定工作。
- 集电极电流 (Ic): 最大为70mA，提供足够的输出能力以驱动负载。
电流增益 (hFE): 在5mA的工作条件下，hFE的最小值为80，说明该器件在小信号放大应用中的良好性能，能够有效放大输入信号。
饱和压降: Vce饱和压降在500µA和5mA的条件下最大为150mV，这表明该器件在开关状态时能够有效降低功耗，提升电路的整体效率。
工作频率: DTC014YMT2L的跃迁频率可达到250MHz，适合应用于高频信号处理环境，如RF（射频）电路和高速数字电路。
功率处理能力: 最大功率为150mW，确保在不同的工作条件下，器件能够长时间稳定运行。
基极与发射极电阻: R1（基极电阻）为10 kΩ，R2（发射极电阻）为47 kΩ，这些参数使得DTC014YMT2L在使用时具备良好的稳定性与控制能力。
三、应用领域
DTC014YMT2L可广泛应用于多个领域，包括但不限于：
数字电路: 用于数字信号的开关及放大，满足现代电子产品对高频信号处理的需求。
开关电源: 适合用作开关控制元件，能够有效地控制开关操作，提高系统效率。
信号放大器: 可用于音频处理、射频信号放大等，特别是在小信号环境下表现出色。
便携式设备: 由于其低功耗和小型化封装，适合用于智能手机、平板电脑以及其他便携式电子设备。
四、总结
DTC014YMT2L数字晶体管因其卓越的电气性能和灵活的应用性，无疑是现代电子设计中的一款重要元件。从引导基础信号的放大到实现高效的开关控制，这款器件无疑为设计师提供了可靠的解决方案。ROHM(罗姆)作为全球知名的半导体制造商，其产品经过严苛的测试与验证，确保DTC014YMT2L在各种应用环境中的稳定性与高效性，是您设计项目中的理想选择。