集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 100mA |
功率(Pd) | 150mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 30@5mA,5V |
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 500mV@100uA,5V | 输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 300mV@10mA,0.5mA |
输入电阻 | 10kΩ | 电阻比率 | 1 |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
DTC114EETL 是一款由日本知名电子元器件制造商 ROHM 生产的数字晶体管,这款产品是专为高性能电子设备设计的。该合成 NPN 晶体管内部集成了预偏压功能,使得模块在操作时更加稳定和可靠。该产品被广泛用于开关电源管理、信号放大以及各种数字电路应用中。
额定功率:150mW
集电极电流 (Ic):50mA
集射极击穿电压 (Vce):50V
直流电流增益 (hFE): 30 @ 5mA,5V
饱和压降:300mV @ 500µA,10mA
截止电流 (I_Coff):500nA
频率特性:250MHz
封装: EMT3(SC-75/SOT-416)
DTC114EETL 以其卓越的性能参数、低功耗的特性和良好的集成性,使其成为电子设计师和工程师的理想选择。无论是用于一般的开关控制,还是在复杂的信号处理和放大场景中,这款晶体管都可以提供可靠的支持。借助 ROHM 在半导体领域的领先地位,DTC114EETL 在行内获得了广泛的认可和应用。对于希望在设计中实现更高能效、更可靠工作的电子产品,DTC114EETL 是一个不可多得的优秀选择。