封装/外壳 | SC-70,SOT-323 | 晶体管类型 | NPN-预偏压 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V | 集电极电流Ic(最大值) | 100mA |
电流放大倍数hFE(最小值) | 100@1mA,5V | 功率(最大值) | 200mW |
安装类型 | 表面贴装(SMT) | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 4.7 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 150mV @ 250µA,5mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
供应商器件封装 | UMT3 |
DTC143TUAT106 是一款高性能的数字晶体管,采用了先进的 NPN 预偏置结构,广泛应用于各种电子电路中。其卓越的性能特点使它成为现代电子产品设计中不可或缺的元器件之一。该元器件提供了功率、频率及电流放大特性的优异表现,旨在满足高效能和小型化应用的市场需求。
DTC143TUAT106 在多个参数上表现出色,具有以下主要规格:
高效能小型化设计:DTC143TUAT106 的小尺寸设计使其能够在空间受限的应用中发挥作用,符合现代电子产品对小型化的要求。
优良的增益性能:该晶体管的高 hFE 性能使其在低输入电流下仍可实现较大的输出,从而提高了电路的整体效率。
低饱和压降:在 250µA 和 5mA 的条件下,DTC143TUAT106 展现出最大饱和压降为 150mV,保证了低功耗操作。
可靠的截止特性:其集电极截止电流的最大值为 500nA,确保电路在关闭状态下的电流泄漏最低,从而提高了电路的整体效率。
广泛应用的适应能力:DTC143TUAT106 适用于各种数字电路,如开关电源、信号放大、逻辑电路以及各种传感器接口等。
DTC143TUAT106 的应用范围非常广泛,其中包括:
DTC143TUAT106 是一款高效、可靠的 NPN 预偏置数字晶体管。凭借出色的电气特性和紧凑的封装,它广泛应用于现代电子电路中,适应了日益增长的高效能和小型化需求。作为 ROHM 品牌的一员,它代表了该公司在半导体市场的技术实力与创新能力,值得电子产品设计工程师的信赖与选择。