晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 5A |
集射极击穿电压(Vceo) | 10V | 耗散功率(Pd) | 3W |
直流电流增益(hFE) | 300@1A,2V | 特征频率(fT) | 150MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 10nA | 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 50mV |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 射基极击穿电压(Vebo) | 7V |
FZT1047ATA是一款高性能的NPN型三极管(BJT),专为高频和高功率应用设计,具有极其优异的电流增益和工艺稳定性。采用小型SOT-223封装,便于表面贴装(SMD),符合现代电子设备对空间效率的严格要求。
FZT1047ATA的广泛适应性使其成为许多电子应用的理想选择,包括但不限于:
FZT1047ATA的设计结合了高性能、可靠性和经济性,使其在当前的市场中具备竞争力。其优秀的电流处理能力和极低的功耗特性,远超过同类产品。此外,DIODES(美台)在全球市场中的良好声誉提供了额外的信心,使得FZT1047ATA成为设计师和工程师的首选。
FZT1047ATA三极管(NPN)以其卓越的技术规格和优异的性能,满足了现代电子设备对高效、可靠的电流控制和信号放大的需求。其小型化的SOT-223封装适合于空间有限的应用环境,确保了高效的自动化生产流程。随着电子产品的不断发展和对高性能产品的需求日益增加,FZT1047ATA无疑是在可靠性、效率和功能上的优秀选择,为各种应用提供了强有力的支持。
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