FZT493TA 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

FZT493TA

商品编码: BM0000283372
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT223
包装 : 
编带
重量 : 
0.232g
描述 : 
三极管(BJT) 2W 100V 1A NPN SOT-223-3
库存 :
3237(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
1.63
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.63
--
50+
¥1.25
--
1000+
¥1.16
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

FZT493TA参数

晶体管类型NPN集电极电流(Ic)1A
集射极击穿电压(Vceo)100V功率(Pd)1.6W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)100@250mA,10V特征频率(fT)150MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)600mV@1A,100mA
工作温度-55℃~+150℃

FZT493TA手册

FZT493TA概述

FZT493TA 产品概述

一、概述

FZT493TA是一款高性能的NPN型晶体管,具有卓越的电气特性和广泛的应用潜力。这款器件专为需要高开关频率和稳定性的小型电源、信号放大和开关应用而设计。其优异的参数使其成为电子设计中不可或缺的组件,尤其在高效能电路中表现尤为突出。

二、基本参数

根据产品数据资料,FZT493TA的设计重点在于其集电极电流(Ic)、集射极击穿电压(Vce)、饱和压降及增益等关键参数。具体如下:

  • 额定功率:最大功率为2W,这意味着它可以承载相对较高的功率负荷,适用于需要较大功率处理的电路。
  • 集电极电流 (Ic):最大值为1A,适合大多数基础电源和开关电路。
  • 集射极击穿电压 (Vce):最大值为100V,确保其在高电压工作环境中的可靠性。
  • 饱和压降:在100mA及1A下,饱和压降最大为600mV,保证了开关时低功耗,有助于提高电路效率。
  • 集电极截止电流:最大值为100nA,表明在关断状态下,其泄漏电流非常小,进一步提升了电路的可靠性和稳定性。
  • DC电流增益 (hFE):在250mA和10V下,最小值为100,意味着它具备良好的电流放大能力,能够在不同的工作条件下保持稳定的增益。

三、频率特性

FZT493TA的跃迁频率高达150MHz,这一特性使得该元器件能够适用于高频信号处理活动,尤其是在射频应用和高速开关电路中,表现出优良的性能。

四、工作环境与安装

这款晶体管的工作温度范围为-55°C至150°C,适应各种严苛工作环境,如极端温度变化的工业、电力和汽车应用等。表面贴装型(SMD)封装设计(如SOT-223)则使得FZT493TA易于集成到紧凑的电子电路中,同时有助于改善PCB面板面积的使用效率,提升散热性能。

五、封装与供应

FZT493TA使用TO-261-4(SOT-223)封装,具备良好的热管理特性。而且,作为DIODES公司生产的产品,FZT493TA将获得该品牌良好的质量保证与可追溯性,适合对品质有严格要求的设计方案。

六、应用场景

由于其强大的电流与电压能力,该晶体管可广泛应用于以下场景:

  1. 开关电源:适用于各种类型的开关电源设计,包括AC-DC适配器和DC-DC转换器。
  2. 信号放大:在需要对微弱信号进行放大的应用中,如音频放大器或射频前级放大器中,FZT493TA同样表现出色。
  3. 开关控制:可用于驱动继电器、电机以及其他开关负载的控制电路。
  4. 高频应用:在数据通信设备中,因其高达150MHz的频率特性,能承受高频操作。

七、总结

FZT493TA无疑是一款非常优秀的NPN晶体管,其卓越的电气特性和广泛的应用适应性使其成为众多电子设计中的理想选择。无论是在电源管理、信号放大还是高频应用中,它都能够确保高效、稳定的性能表现。选择FZT493TA,为电子设计提供稳定的基础,提升电子产品的整体性能与可靠性。