晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 1A |
集射极击穿电压(Vceo) | 100V | 功率(Pd) | 1.6W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@250mA,10V | 特征频率(fT) | 150MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 600mV@1A,100mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
FZT493TA是一款高性能的NPN型晶体管,具有卓越的电气特性和广泛的应用潜力。这款器件专为需要高开关频率和稳定性的小型电源、信号放大和开关应用而设计。其优异的参数使其成为电子设计中不可或缺的组件,尤其在高效能电路中表现尤为突出。
根据产品数据资料,FZT493TA的设计重点在于其集电极电流(Ic)、集射极击穿电压(Vce)、饱和压降及增益等关键参数。具体如下:
FZT493TA的跃迁频率高达150MHz,这一特性使得该元器件能够适用于高频信号处理活动,尤其是在射频应用和高速开关电路中,表现出优良的性能。
这款晶体管的工作温度范围为-55°C至150°C,适应各种严苛工作环境,如极端温度变化的工业、电力和汽车应用等。表面贴装型(SMD)封装设计(如SOT-223)则使得FZT493TA易于集成到紧凑的电子电路中,同时有助于改善PCB面板面积的使用效率,提升散热性能。
FZT493TA使用TO-261-4(SOT-223)封装,具备良好的热管理特性。而且,作为DIODES公司生产的产品,FZT493TA将获得该品牌良好的质量保证与可追溯性,适合对品质有严格要求的设计方案。
由于其强大的电流与电压能力,该晶体管可广泛应用于以下场景:
FZT493TA无疑是一款非常优秀的NPN晶体管,其卓越的电气特性和广泛的应用适应性使其成为众多电子设计中的理想选择。无论是在电源管理、信号放大还是高频应用中,它都能够确保高效、稳定的性能表现。选择FZT493TA,为电子设计提供稳定的基础,提升电子产品的整体性能与可靠性。