FZT603TA 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

FZT603TA

商品编码: BM0000283373
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT223
包装 : 
编带
重量 : 
0.139g
描述 : 
达林顿管 2W 80V 5000@5V,500mA NPN SOT-223-4
库存 :
2572(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
1.04
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.04
--
1000+
¥0.959
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

FZT603TA参数

类型NPN集射极击穿电压(Vceo)80V
直流电流增益(hFE@Vce,Ic)5000@5V,500mA功率(Pd)2W
集电极电流(Ic)2A特征频率(fT)150MHz
集电极截止电流(Icbo@Vcb)10uA集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib)1.13V@2A,20mA
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

FZT603TA手册

FZT603TA概述

FZT603TA 产品概述

1. 产品基本信息

FZT603TA 是一种高性能的 NPN-达林顿型晶体管,其集电极电流 (Ic) 最大可达 2A,集射极击穿电压 (Vce) 最大可达 80V。这种晶体管特别适用于对高增益和高电流要求的应用,其电流增益 (hFE) 在 5V、500mA 时最小可达到 5000,显示出其卓越的放大能力。

2. 主要参数

  • 晶体管类型: NPN - 达林顿
  • 集电极电流 (Ic): 2A (最大值)
  • 集射极击穿电压 (Vce): 80V (最大值)
  • 额定功率: 2W
  • Vce 饱和压降: 1.13V @ 20mA,2A
  • 集电极截止电流: 10µA (最大值)
  • 工作频率: 150MHz
  • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
  • 封装类型: SOT-223 (表面贴装型)
  • 器件封装: TO-261-4,TO-261AA

3. 优势特点

  • 高增益: FZT603TA 的高电流增益使其在大多数应用中能够以极低的输入信号控制较大的输出电流,从而提高电路的整体效率。
  • 宽广的工作温度范围: 该晶体管具有 -55°C 到 150°C 的宽温范围,适合于各种严苛的工作环境。
  • 高击穿电压: 最大 80V 的集射极击穿电压使其能够承受较高的电压应用,适用于高压电源和功率放大器。
  • 快速响应速度: 能达到 150MHz 的频率跃迁,支持高频应用,如开关电源和脉冲放大电路。

4. 应用场景

FZT603TA 广泛应用于各类电气和电子设备中,尤其是需要高电流驱动的场合,包括但不限于:

  • 功率放大器:在音频放大器和视频放大器中作为输出驱动器。
  • 开关电源:用作开关模式电源中的磁通控制晶体管。
  • 驱动电路:如电机驱动、继电器驱动,以及其他负载驱动电路。
  • 信号放大器:适用于 RF 应用中的小信号放大,有助于提高信号品质和强度。

5. 封装与安装

FZT603TA 采用 SOT-223 封装形式,该封装不仅具有良好的散热特性,还方便于表面贴装,使其在现代电子产品中适应性更强。表面贴装技术 (SMT) 的应用也使得电路板的设计更加紧凑,适合于大量生产。

6. 综合评价

总体而言,FZT603TA 是一款卓越的 NPN-达林顿晶体管,以其高电流增益、高电压耐受能力和宽工作温度范围在电子设计和应用中具有极高的价值。它适合用在多种场合并能有效满足现代电子产品对性能的严格要求,使其成为电子元器件市场上不可或缺的重要组成部分。设计工程师可依赖于 FZT603TA 实现更具创新性和高性能的电路设计。