类型 | NPN | 集射极击穿电压(Vceo) | 80V |
直流电流增益(hFE@Vce,Ic) | 5000@5V,500mA | 功率(Pd) | 2W |
集电极电流(Ic) | 2A | 特征频率(fT) | 150MHz |
集电极截止电流(Icbo@Vcb) | 10uA | 集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib) | 1.13V@2A,20mA |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
FZT603TA 是一种高性能的 NPN-达林顿型晶体管,其集电极电流 (Ic) 最大可达 2A,集射极击穿电压 (Vce) 最大可达 80V。这种晶体管特别适用于对高增益和高电流要求的应用,其电流增益 (hFE) 在 5V、500mA 时最小可达到 5000,显示出其卓越的放大能力。
FZT603TA 广泛应用于各类电气和电子设备中,尤其是需要高电流驱动的场合,包括但不限于:
FZT603TA 采用 SOT-223 封装形式,该封装不仅具有良好的散热特性,还方便于表面贴装,使其在现代电子产品中适应性更强。表面贴装技术 (SMT) 的应用也使得电路板的设计更加紧凑,适合于大量生产。
总体而言,FZT603TA 是一款卓越的 NPN-达林顿晶体管,以其高电流增益、高电压耐受能力和宽工作温度范围在电子设计和应用中具有极高的价值。它适合用在多种场合并能有效满足现代电子产品对性能的严格要求,使其成为电子元器件市场上不可或缺的重要组成部分。设计工程师可依赖于 FZT603TA 实现更具创新性和高性能的电路设计。