注：图像仅供参考，请参阅产品规格
IRFB4115PBF
- 商品编码： BM0000283432复制
- 品牌： Infineon(英飞凌)复制
- 封装： TO-220复制
- 包装： 管装复制
- 重量： 3.492g复制
- 描述： 场效应管(MOSFET) 380W 150V 104A 1个N沟道复制
IRFB4115PBF参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 150V |
| 连续漏极电流(Id) | 104A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V |
| 耗散功率(Pd) | 380W |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@10V |
| 输入电容(Ciss) | 5.27nF |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
IRFB4115PBF手册
IRFB4115PBF概述
IRFB4115PBF 产品概述
产品简介
IRFB4115PBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应管），由著名的半导体制造商 Infineon（英飞凌）公司生产。该器件特别设计用于高压、高频 applications，具有优越的导通性能和热管理能力，适合于电源转换、马达控制、高频开关电源等多种应用场景。它的封装类型为 TO-220，广泛使用于电子设备中，因其良好的热稳定性和适中的安装空间而被广泛青睐。
主要技术参数
IRFB4115PBF 的关键技术参数包括：
- 漏源电压（Vdss）: 最大150V，确保该器件在高压环境下依然稳定工作。
- 连续漏极电流（Id）: 在25°C 时可以承受高达104A 的电流，展现出卓越的电流承受能力。
- 导通电阻（Rds(on)）: 在 Vgs=10V 和 Id=62A 时，最大导通电阻为11 毫欧，提供低功耗的开关性能。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大5V @ 250µA，保证可靠的开关性能。
- 栅极电荷（Qg）: 在 Vgs=10V 时，最大值为120nC，意味着在驱动和切换过程中产生的延迟较低。
- 输入电容（Ciss）: 在 Vds=50V 的情况下，Ciss 最大为5270pF，有助于高频率下保持良好的开关特性。
- 功率耗散（Pd）: 最大功耗可达到380W，确保 MOSFET 能在重负载下安全运行。
- 工作温度范围: IRFB4115PBF 的工作温度为 -55°C ~ 175°C，这使得它能在极端环境下正常工作，适合用于航天、汽车和工业控制等应用场合。
应用场景
IRFB4115PBF 的设计使其非常适合用于以下几个领域：
电源管理: 广泛应用于开关电源（SMPS）、功率逆变器和其他电子电源设备，能够在各类电源转换中发挥极高的效率。
马达驱动: 高频开关马达驱动应用中，这款 MOSFET 以其高电流承载能力和低导通阻抗，适宜用于电动工具、电动车和家电等电机控制中。
电池管理系统: 在电池均衡和充电过程中，这种高性能 MOSFET 能有效地在充电和放电过程中实现大电流的管理。
机械设备: 适合需要高温环境运行的机械设备，如工业自动化设备和机器人。
封装与安装
该 MOSFET 的 TO-220AB 封装提供可靠的热接触和支撑，易于通孔安装，是工程师和设计师在进行产品开发时的优选。它的散热性能使得该器件具有出色的功率处理能力，并有效防止过热导致的性能下降。同时，TO-220 封装的设计可以简化散热设计，确保 MOSFET 在高负载条件下依然能够高效运作。
总结
总结来说，IRFB4115PBF 具有优异的电气特性、卓越的热管理能力和广泛的应用前景。作为一款高效能 N 通道 MOSFET，它能够在极端条件下运行，提供稳定的性能和可靠的解决方案。无论是工程师在设计新设备时需要采取高性能电子元器件，还是在现有系统中进行升级，IRFB4115PBF 都是一个值得考虑的重要选择。