类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 150V |
连续漏极电流(Id) | 104A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 9.3mΩ@10V,62A |
功率(Pd) | 380W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 77nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 5.27nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 105pF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
产品简介
IRFB4115PBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应管),由著名的半导体制造商 Infineon(英飞凌)公司生产。该器件特别设计用于高压、高频 applications,具有优越的导通性能和热管理能力,适合于电源转换、马达控制、高频开关电源等多种应用场景。它的封装类型为 TO-220,广泛使用于电子设备中,因其良好的热稳定性和适中的安装空间而被广泛青睐。
主要技术参数
IRFB4115PBF 的关键技术参数包括:
应用场景
IRFB4115PBF 的设计使其非常适合用于以下几个领域:
电源管理: 广泛应用于开关电源(SMPS)、功率逆变器和其他电子电源设备,能够在各类电源转换中发挥极高的效率。
马达驱动: 高频开关马达驱动应用中,这款 MOSFET 以其高电流承载能力和低导通阻抗,适宜用于电动工具、电动车和家电等电机控制中。
电池管理系统: 在电池均衡和充电过程中,这种高性能 MOSFET 能有效地在充电和放电过程中实现大电流的管理。
机械设备: 适合需要高温环境运行的机械设备,如工业自动化设备和机器人。
封装与安装
该 MOSFET 的 TO-220AB 封装提供可靠的热接触和支撑,易于通孔安装,是工程师和设计师在进行产品开发时的优选。它的散热性能使得该器件具有出色的功率处理能力,并有效防止过热导致的性能下降。同时,TO-220 封装的设计可以简化散热设计,确保 MOSFET 在高负载条件下依然能够高效运作。
总结
总结来说,IRFB4115PBF 具有优异的电气特性、卓越的热管理能力和广泛的应用前景。作为一款高效能 N 通道 MOSFET,它能够在极端条件下运行,提供稳定的性能和可靠的解决方案。无论是工程师在设计新设备时需要采取高性能电子元器件,还是在现有系统中进行升级,IRFB4115PBF 都是一个值得考虑的重要选择。