IRFB4115PBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRFB4115PBF

商品编码: BM0000283432
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO-220AB
包装 : 
管装
重量 : 
2.75g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 380W 150V 104A 1个N沟道 TO-220
库存 :
39(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
2.83
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.83
--
1000+
¥2.7
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFB4115PBF参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)104A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)9.3mΩ@10V,62A
功率(Pd)380W阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)77nC@10V输入电容(Ciss@Vds)5.27nF
反向传输电容(Crss@Vds)105pF工作温度-55℃~+175℃

IRFB4115PBF手册

IRFB4115PBF概述

IRFB4115PBF 产品概述

产品简介

IRFB4115PBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应管),由著名的半导体制造商 Infineon(英飞凌)公司生产。该器件特别设计用于高压、高频 applications,具有优越的导通性能和热管理能力,适合于电源转换、马达控制、高频开关电源等多种应用场景。它的封装类型为 TO-220,广泛使用于电子设备中,因其良好的热稳定性和适中的安装空间而被广泛青睐。

主要技术参数

IRFB4115PBF 的关键技术参数包括:

  • 漏源电压(Vdss): 最大150V,确保该器件在高压环境下依然稳定工作。
  • 连续漏极电流(Id): 在25°C 时可以承受高达104A 的电流,展现出卓越的电流承受能力。
  • 导通电阻(Rds(on)): 在 Vgs=10V 和 Id=62A 时,最大导通电阻为11 毫欧,提供低功耗的开关性能。
  • 栅极阈值电压(Vgs(th)): 最大5V @ 250µA,保证可靠的开关性能。
  • 栅极电荷(Qg): 在 Vgs=10V 时,最大值为120nC,意味着在驱动和切换过程中产生的延迟较低。
  • 输入电容(Ciss): 在 Vds=50V 的情况下,Ciss 最大为5270pF,有助于高频率下保持良好的开关特性。
  • 功率耗散(Pd): 最大功耗可达到380W,确保 MOSFET 能在重负载下安全运行。
  • 工作温度范围: IRFB4115PBF 的工作温度为 -55°C ~ 175°C,这使得它能在极端环境下正常工作,适合用于航天、汽车和工业控制等应用场合。

应用场景

IRFB4115PBF 的设计使其非常适合用于以下几个领域:

  1. 电源管理: 广泛应用于开关电源(SMPS)、功率逆变器和其他电子电源设备,能够在各类电源转换中发挥极高的效率。

  2. 马达驱动: 高频开关马达驱动应用中,这款 MOSFET 以其高电流承载能力和低导通阻抗,适宜用于电动工具、电动车和家电等电机控制中。

  3. 电池管理系统: 在电池均衡和充电过程中,这种高性能 MOSFET 能有效地在充电和放电过程中实现大电流的管理。

  4. 机械设备: 适合需要高温环境运行的机械设备,如工业自动化设备和机器人。

封装与安装

该 MOSFET 的 TO-220AB 封装提供可靠的热接触和支撑,易于通孔安装,是工程师和设计师在进行产品开发时的优选。它的散热性能使得该器件具有出色的功率处理能力,并有效防止过热导致的性能下降。同时,TO-220 封装的设计可以简化散热设计,确保 MOSFET 在高负载条件下依然能够高效运作。

总结

总结来说,IRFB4115PBF 具有优异的电气特性、卓越的热管理能力和广泛的应用前景。作为一款高效能 N 通道 MOSFET,它能够在极端条件下运行,提供稳定的性能和可靠的解决方案。无论是工程师在设计新设备时需要采取高性能电子元器件,还是在现有系统中进行升级,IRFB4115PBF 都是一个值得考虑的重要选择。