IRFR5305TRPBF 产品实物图片
IRFR5305TRPBF 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRFR5305TRPBF

商品编码: BM0000283438
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO-252-3(DPAK)
包装 : 
编带
重量 : 
0.636g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 110W 55V 31A 1个P沟道 TO-252-2(DPAK)
库存 :
51495(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
2.03
按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.03
--
100+
¥1.57
--
1000+
¥1.37
--
2000+
¥1.3
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFR5305TRPBF参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)55V
连续漏极电流(Id)31A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)65mΩ@10V,16A
功率(Pd)110W阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)63nC输入电容(Ciss@Vds)1.2nF
反向传输电容(Crss@Vds)250pF工作温度-55℃~+175℃

IRFR5305TRPBF手册

IRFR5305TRPBF概述

IRFR5305TRPBF 产品概述

简介

IRFR5305TRPBF 是一款高性能的 P沟道 MOSFET,具有卓越的电气特性和广泛的应用场景。这款器件由知名电子元器件制造商英飞凌(Infineon)生产,专为高效能电源管理和开关技术而设计。IRFR5305TRPBF 特别适合在高效电源转换、马达控制和汽车电子等领域中使用。

基本参数

  • 漏源电压 (Vdss): 55V - 该电压等级使其能够处理多种中等电压应用。
  • 连续漏极电流 (Id): 31A (25°C) - 提供了优越的电流承载能力。
  • 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 4V @ 250µA - 有效的阈值电压使得其在低电平驱动下也能快速导通。
  • 漏源导通电阻 (Rds(on)): 65mΩ @ 16A, 10V - 低导通电阻降低了损耗并提升了转换效率。
  • 最大功率耗散: 110W (Ta=25°C) - 能够在较高功率条件下安全操作,适应不同的工作环境。
  • 工作温度范围: -55°C ~ 175°C (TJ) - 适应极端工作环境,尤其适合高温应用。
  • 封装类型: TO-252-3 (D-Pak) - 表面贴装型便利于自动化生产和空间优化。

典型应用

IRFR5305TRPBF 广泛应用于各种电源管理设备,例如:

  1. 开关电源: 在DC-DC转换器和AC-DC适配器中,MOSFET 的开关特性能够提高实现高效率和小体积的设计。
  2. 马达控制: 在工业和汽车应用中,能够高效驱动直流及步进电机,确保良好的动态响应及稳定性能。
  3. 电能管理系统: 包括可再生能源系统,如太阳能逆变器,能够帮助实现高效的能量转换。
  4. 电池管理: 在电池充放电过程中稳定高效的开关控制,保护电池和延长使用寿命。

设计优势

IRFR5305TRPBF 提供了以下几项设计优势:

  • 高效性: 低导通电阻和快速开关能力使得消耗电量大幅降低,提高了电源系统的整体效率。
  • 高温承受能力: 能够在严酷环境中正常工作,确保设备的可靠性。
  • 灵活性: 适用范围广,能够满足多种应用的需求,特别是当设计需要在空间有限的情况下仍需高效能时。
  • 易于集成: 表面贴装封装形式使得其在 PCB 设计中更为灵活,便于集成到复杂的电路设计中。

结论

综上所述,IRFR5305TRPBF 是一款出色的 P沟道 MOSFET,凭借其出色的电气特性和可靠性,赢得了广泛的市场认可。它在功率转换、马达驱动及电源管理等领域中展现出的高效能和多样性,使其成为工程师和设计师在设计高性能电子设备时的理想选择。无论在汽车工业、工业自动化还是消费电子产品中,IRFR5305TRPBF 都以其卓越的性能和可靠的品质继续助力各种创新应用。