类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 55V |
连续漏极电流(Id) | 31A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 65mΩ@10V,16A |
功率(Pd) | 110W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 63nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.2nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 250pF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
IRFR5305TRPBF 是一款高性能的 P沟道 MOSFET,具有卓越的电气特性和广泛的应用场景。这款器件由知名电子元器件制造商英飞凌(Infineon)生产,专为高效能电源管理和开关技术而设计。IRFR5305TRPBF 特别适合在高效电源转换、马达控制和汽车电子等领域中使用。
IRFR5305TRPBF 广泛应用于各种电源管理设备,例如:
IRFR5305TRPBF 提供了以下几项设计优势:
综上所述,IRFR5305TRPBF 是一款出色的 P沟道 MOSFET,凭借其出色的电气特性和可靠性,赢得了广泛的市场认可。它在功率转换、马达驱动及电源管理等领域中展现出的高效能和多样性,使其成为工程师和设计师在设计高性能电子设备时的理想选择。无论在汽车工业、工业自动化还是消费电子产品中,IRFR5305TRPBF 都以其卓越的性能和可靠的品质继续助力各种创新应用。