IRLR2905ZTRPBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRLR2905ZTRPBF

商品编码: BM0000283442
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO-252-3(DPAK)
包装 : 
编带
重量 : 
5.49g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 110W 55V 42A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存 :
10704(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
1.59
按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.59
--
2000+
¥1.53
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRLR2905ZTRPBF参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)55V
连续漏极电流(Id)42A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)13.5mΩ@10V,36A
功率(Pd)110W阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)35nC输入电容(Ciss@Vds)1.57nF
反向传输电容(Crss@Vds)130pF工作温度-55℃~+175℃

IRLR2905ZTRPBF手册

IRLR2905ZTRPBF概述

产品概述:IRLR2905ZTRPBF MOSFET

引言

MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一种广泛应用于电子电路中的场效应管,以其低导通电阻和良好的开关特性而著称。IRLR2905ZTRPBF是一款高性能的N沟道MOSFET,由著名半导体制造商英飞凌(Infineon)生产。其设计目标是满足高电压和高电流应用的需要,适合用于电源转换、马达驱动、工业控制以及其他电源管理领域。

关键参数

IRLR2905ZTRPBF具有以下主要参数:

  • 漏源电压(Vdss):该器件的最大漏极-源极电压为55V,允许稳健的操作环境,适用大部分直流和交流电源应用。
  • 连续漏极电流(Id):在25°C的环境温度下,其最大连续漏极电流为42A,这使其能够处理较高负载,适合高功率应用。
  • 导通电阻(Rds(on)):在10V栅极驱动电压下,最大导通电阻为13.5毫欧(@36A),极低的导通电阻显著降低了功率损耗,提高了整体效率。
  • 栅极阈值电压(Vgs(th)):最大值为3V(@250µA),准确的阈值电压确保了器件的可靠开启。
  • 功率耗散(Pd):该MOSFET的最大功率耗散能力为110W,这使其能在多变的工作环境中稳定运行。

性能特点

IRLR2905ZTRPBF的性能可归因于其高效设计和先进的制造工艺:

  • 广泛的工作温度范围:-55°C至175°C的工作温度范围使得该器件适用于恶劣环境下的应用,例如汽车和工业设备。
  • 表面贴装型设计:采用D-Pak封装,提供良好的热性能,并在高密度电路板设计中便于安排,适合现代电子产品的需求。
  • 低栅极电荷(Qg):在5V的栅极电压下,栅极电荷最大为35nC,意味着在开关操作时所需的驱动能量更低,提高了开关速度和效率。
  • 输入电容(Ciss):在25V的漏极电压下,最大输入电容为1570pF,这样较低的输入电容能够提高开关频率,使设备在高频应用中表现更好。

应用领域

IRLR2905ZTRPBF广泛应用于以下领域:

  • 电源管理:用于DC-DC转换器、LED驱动器以及电源供应电路,为系统提供高效能和可靠性。
  • 电机控制:在各种电机驱动应用中,如风扇、泵和伺服电机,提供稳定的电流输出和保护机制。
  • 自动化设备:适用于各种工业自动化控制中,因其强大的电流处理能力和耐高温特性,帮助提高设备的安全性和效率。
  • 汽车电子:受益于其可靠性和环境适应性,这个MOSFET在汽车电子控制、电池管理系统和电压转换系统中表现突出。

结论

IRLR2905ZTRPBF是一款功能强大且性能优越的N沟道MOSFET,凭借其高电流和电压处理能力,以及出色的热性能和效率,成为电源管理、自动化和汽车电子等领域的理想选择。作为英飞凌品牌的产品,IRLR2905ZTRPBF在质量和可靠性方面亦得到了保证,适合要求严苛的工业和商业应用。对于设计师和工程师而言,这款MOSFET是实现高效能电路设计的理想解决方案。