类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 55V |
连续漏极电流(Id) | 42A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 13.5mΩ@10V,36A |
功率(Pd) | 110W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 35nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.57nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 130pF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一种广泛应用于电子电路中的场效应管,以其低导通电阻和良好的开关特性而著称。IRLR2905ZTRPBF是一款高性能的N沟道MOSFET,由著名半导体制造商英飞凌(Infineon)生产。其设计目标是满足高电压和高电流应用的需要,适合用于电源转换、马达驱动、工业控制以及其他电源管理领域。
IRLR2905ZTRPBF具有以下主要参数:
IRLR2905ZTRPBF的性能可归因于其高效设计和先进的制造工艺:
IRLR2905ZTRPBF广泛应用于以下领域:
IRLR2905ZTRPBF是一款功能强大且性能优越的N沟道MOSFET,凭借其高电流和电压处理能力,以及出色的热性能和效率,成为电源管理、自动化和汽车电子等领域的理想选择。作为英飞凌品牌的产品,IRLR2905ZTRPBF在质量和可靠性方面亦得到了保证,适合要求严苛的工业和商业应用。对于设计师和工程师而言,这款MOSFET是实现高效能电路设计的理想解决方案。