驱动配置 | 半桥 | 通道类型 | 同步 |
驱动器数 | 2 | 栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
电压 - 供电 | 10V ~ 20V | 逻辑电压 - VIL,VIH | 0.8V,2.5V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 1.9A,2.3A | 输入类型 | 非反相 |
高压侧电压 - 最大值(自举) | 600V | 上升/下降时间(典型值) | 40ns,20ns |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商器件封装 | 8-SOIC |
IRS2184STRPBF 是由英飞凌(Infineon)公司推出的一款高性能半桥栅极驱动器,专为驱动 N 沟道 MOSFET 和 IGBT 设计。这款集成电路(IC)在高频开关应用中表现卓越,广泛应用于电动机控制、变频器、开关电源和其他要求高效能和高电压耐受的电力电子领域。
驱动配置:IRS2184SRPBF 采用半桥配置,集成了高侧和低侧的驱动功能,能够同时控制两个功率开关,优化电路设计并减少外部元件数量。
电气参数:该驱动器可支持的供电电压范围为 10V 至 20V,适应多种供电需求。其峰值输出电流可达到 1.9A(灌入)和 2.3A(拉出),确保驱动器在快速切换过程中能够迅速提供足够的电流,提升响应速度。
逻辑电平兼容性:IRS2184STRPBF 的逻辑电压规范(VIL 为 0.8V,VIH 为 2.5V)确保其能够与多种控制电路兼容,包括低电压逻辑电平和高电压电路,提供灵活的接口选择。
高压支持:该驱动器具有高达 600V 的自举高电压耐受能力,使其能够 легко应对高压应用场景,尤其是在需要驱动高压 MOSFET 或 IGBT 的场合。
快速开关能力:上升/下降时间的典型值为 40ns 和 20ns,这一快速响应性能使其在高频率需求的应用中具有明显的优势,减小了开关损耗,并提升系统整体效率。
工作环境:IRS2184STRPBF 能够在 -40°C 至 150°C 的广泛温度范围内稳定工作,适应各种严苛环境,确保产品的可靠性和耐用性。
封装类型:此款IC采用 8-SOIC 封装,具有良好的散热性能和小巧的尺寸,适合在空间有限的电路板中使用。
IRS2184STRPBF 适用于多种应用,包括:
作为一款高效能的半桥栅极驱动器,IRS2184STRPBF 以其出色的电压承受能力和快速响应特性,成为了现代电力电子应用中的理想选择。其卓越的性能及宽广的工作环境,使其在众多高频率和高功率需求的领域具备竞争力。若您正在寻找一种多功能、可靠且高效的栅极驱动解决方案,IRS2184STRPBF 将无疑是一个值得考虑的优质产品。