SI1553CDL-T1-GE3 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SI1553CDL-T1-GE3

商品编码: BM0000283483
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
SC-70-6(SOT-363)
包装 : 
编带
重量 : 
0.017g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 340mW 20V 700mA;500mA 1个N沟道+1个P沟道 SC-70-6(SOT-363)
库存 :
9575(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
0.78
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.78
--
3000+
¥0.723
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

SI1553CDL-T1-GE3参数

类型1个N沟道+1个P沟道漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)500mA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.48Ω@2.5V,0.3A
功率(Pd)290mW阈值电压(Vgs(th)@Id)600mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)950pC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)43pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)10pF@10V工作温度-55℃~+150℃

SI1553CDL-T1-GE3手册

SI1553CDL-T1-GE3概述

SI1553CDL-T1-GE3 产品概述

一、产品简介

SI1553CDL-T1-GE3 是一款高性能的场效应管(MOSFET),由知名电子元器件制造商 VISHAY(威世)推出。该器件在基本参数上设计合理,适用于各种常见电子设计需求,尤其在低功率及逻辑电平控制的应用中表现优异。本产品采用 SC-70-6 封装(或 SOT-363 封装),是一款适合表面贴装的器件,能够满足现代高密度电路板设计的需求。

二、主要特点

  1. 高效率与低功耗:SI1553CDL-T1-GE3 的最大漏源电压(Vdss)为 20V,最大功率耗散为 340mW,这使得该器件在中小功率应用中表现出高效率,同时降低了能量损失,有效改善整体系统性能。

  2. 优异的电流承载能力:在 25°C 下,连续漏极电流(Id)可达到 700mA(N沟道),500mA(P沟道),满足多种负载要求,适合进行高负载驱动。

  3. 快速开关特性:栅源极阈值电压(Vgs(th))为 1.5V @ 250µA,结合其低导通电阻(390mΩ @ 700mA, 4.5V),使得 SI1553CDL-T1-GE3 在快速开关频率时能够有效地降低开关损耗,实现快速启停控制。

  4. 温度范围广:该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C (TJ),这使其适合在多种环境下的应用,包括汽车电子、工业控制和消费电子等领域。

  5. 小型化封装:SI1553CDL-T1-GE3 采用 SC-70-6 封装,尺寸紧凑,非常适合空间受限的应用场景。同时,省去了较大的散热需求。

  6. 逻辑电平兼容:产品具备逻辑电平门特性,易于与微控制器及数字电路相连接,简化了电路设计。

三、应用场景

SI1553CDL-T1-GE3 主要用于以下几个方面:

  1. 小功率开关电源:该 MOSFET 可用于 DC-DC 转换器、小型开关电源装置,以实现高效的能量转换。

  2. 逻辑电平电路:由于其兼容逻辑电平的特性,这款 MOSFET特别适合用于微控制器的驱动应用,如照明、继电器和电机驱动等。

  3. 电池管理系统:适用于电池充放电控制和保护电路,确保电池的安全、高效运行。

  4. 传感器和执行器:在传感器信号放大与处理、执行器驱动中发挥重要作用。

四、竞争优势

与市场上同类产品相比,SI1553CDL-T1-GE3 以其低导通电阻、高电流承载能力及宽广的工作温度范围,展现出出色的性价比和应用灵活性。此外,VISHAY 的品牌信誉及其完善的技术支持,也为客户的选择提供了更大的信心。

五、总结

SI1553CDL-T1-GE3 是一款功能强大、性能卓越的 MOSFET,适合应用于多种低功耗电子设备。其设计考虑了实际应用中的各种需求,具备优异的开关特性和热管理能力,使其在供电管理、驱动控制等领域具有良好的应用前景。整体而言,该产品的推出不仅丰富了 VISHAY 的 MOSFET 产品线,更为设计工程师提供了更多的选择与便利。