类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 3.9A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 50mΩ@3.9A,10V |
功率(Pd) | 1.25W;1.66W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 9.6nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 350pF@15V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
产品概述:SI2316BDS-T1-E3 N沟道MOSFET
SI2316BDS-T1-E3是一款由VISHAY(威世)公司出品的高性能N沟道MOSFET,广泛应用于各种电源管理和信号开关电路中。由于其卓越的电气性能和可靠的工作特性,SI2316BDS-T1-E3特别适合于便携式电子设备、计算机、汽车电子以及消费类电子产品等领域。
一、产品基本信息
二、电气特性
三、输入和输出特性
四、功率耗散
SI2316BDS-T1-E3的功率耗散能力非常强大,最大功率耗散为1.25W(在环境温度Ta下)和1.66W(在结温Tc条件下),这使得其在高负载条件下具有较大的安全余量。
五、应用领域
考虑到SI2316BDS-T1-E3的优越电气特性和稳定的工作温度范围,该MOSFET特别适用于以下应用:
六、总结
总之,SI2316BDS-T1-E3是一款集众多高性能特点于一身的N沟道MOSFET,凭借其较高的电流承载能力、低导通电阻和广泛的工作温度范围,使其在各种应用场合中表现出色,满足现代电子产品对高效、可靠的要求。选择SI2316BDS-T1-E3,将为您的电子设计项目带来稳定性和优越的性能表现。