类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 8V |
连续漏极电流(Id) | 6A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 30mΩ@4.5V,5.3A |
功率(Pd) | 2.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 800mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 29nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.485nF@4V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
SI2329DS-T1-GE3 是一款由著名国际半导体制造商VISHAY(威世)生产的P沟道MOSFET,其设计专用于各种电子应用,包括低压高效能开关电源、负载驱动以及电动机控制等。该器件的封装为SOT-23-3(TO-236),广泛适用于表面贴装(SMD)技术,具备较小的体积和优良的散热性能,尤其适合空间受限的应用场景。
低导通电阻: SI2329DS-T1-GE3 的Rds(on)值在相对较大的漏极电流下仍保持在30mΩ,表明其在低电压高电流情况下具有极佳的导通性能。这使得该器件在需要低损耗和高效率的电路中表现出色。
高电流承载能力: 该器件的连续漏极电流可达6A,为电源管理和负载驱动应用提供了广泛的选择余地。它能够稳定工作在各种负载条件下,确保系统的可靠性和稳定性。
广泛的工作温度范围: SI2329DS-T1-GE3 的工作温度从-55°C至150°C,适合各种严苛的工作环境。这使得其在汽车电子、工业设备及航空航天等领域的应用具备了良好的适应性。
适于表面贴装技术: SOT-23-3封装设计小巧且适应自动化贴装工艺,非常适合现代电子产品的小型化需求,不论是消费类电子、医疗设备还是工业控制系统,均能充分发挥其性能。
SI2329DS-T1-GE3 适用于广泛的应用场合,主要包括:
SI2329DS-T1-GE3 是一款高性能的P沟道MOSFET,凭借其低导通电阻、高电流承载能力以及宽温范围工作特性,成为众多电子应用中的理想选择。其小巧的SOT-23-3封装更是满足了现代电子设备对体积及功率效率的高要求。随着不断增长的设备小型化及高效化需求,SI2329DS-T1-GE3 的市场应用潜力巨大,是工程师和设计师值得考虑的优质选型。