SI2329DS-T1-GE3 产品实物图片
SI2329DS-T1-GE3 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SI2329DS-T1-GE3

商品编码: BM0000283487
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
SOT-23-3(TO-236)
包装 : 
编带
重量 : 
0.035g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.5W 8V 6A 1个P沟道 SOT-23
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
2.36
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.36
--
3000+
¥2.26
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

SI2329DS-T1-GE3参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)8V
连续漏极电流(Id)6A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)30mΩ@4.5V,5.3A
功率(Pd)2.5W阈值电压(Vgs(th)@Id)800mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)29nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)1.485nF@4V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

SI2329DS-T1-GE3手册

SI2329DS-T1-GE3概述

产品概述:SI2329DS-T1-GE3 P沟道MOSFET

一、基本信息

SI2329DS-T1-GE3 是一款由著名国际半导体制造商VISHAY(威世)生产的P沟道MOSFET,其设计专用于各种电子应用,包括低压高效能开关电源、负载驱动以及电动机控制等。该器件的封装为SOT-23-3(TO-236),广泛适用于表面贴装(SMD)技术,具备较小的体积和优良的散热性能,尤其适合空间受限的应用场景。

二、主要规格

  • 漏源电压(Vdss):8V
  • 连续漏极电流(Id):6A (在25°C条件下,Tc)
  • 栅源极阈值电压 (Vgs(th)):800mV @ 250µA
  • 漏源导通电阻 (Rds(on)):30mΩ @ 5.3A,4.5V
  • 最大功率耗散:2.5W(在25°C条件下,Tc)
  • 工作温度范围:-55°C 至 150°C(TJ)
  • 栅极电荷 (Qg):29nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss):1485pF @ 4V
  • 栅极驱动电压范围(Vgs):±5V
  • 封装类型:SOT-23-3(TO-236),符合行业标准。

三、性能特点

  1. 低导通电阻: SI2329DS-T1-GE3 的Rds(on)值在相对较大的漏极电流下仍保持在30mΩ,表明其在低电压高电流情况下具有极佳的导通性能。这使得该器件在需要低损耗和高效率的电路中表现出色。

  2. 高电流承载能力: 该器件的连续漏极电流可达6A,为电源管理和负载驱动应用提供了广泛的选择余地。它能够稳定工作在各种负载条件下,确保系统的可靠性和稳定性。

  3. 广泛的工作温度范围: SI2329DS-T1-GE3 的工作温度从-55°C至150°C,适合各种严苛的工作环境。这使得其在汽车电子、工业设备及航空航天等领域的应用具备了良好的适应性。

  4. 适于表面贴装技术: SOT-23-3封装设计小巧且适应自动化贴装工艺,非常适合现代电子产品的小型化需求,不论是消费类电子、医疗设备还是工业控制系统,均能充分发挥其性能。

四、应用领域

SI2329DS-T1-GE3 适用于广泛的应用场合,主要包括:

  • 电源管理:如DC-DC转换器、线性稳压器等。
  • 负载开关:在开关电源、LED驱动等应用中提供高效率的开关控制。
  • 电机控制:适用于直流电机驱动、电动工具等。
  • 汽车电子:用于车载电源管理、照明控制。

五、总结

SI2329DS-T1-GE3 是一款高性能的P沟道MOSFET,凭借其低导通电阻、高电流承载能力以及宽温范围工作特性,成为众多电子应用中的理想选择。其小巧的SOT-23-3封装更是满足了现代电子设备对体积及功率效率的高要求。随着不断增长的设备小型化及高效化需求,SI2329DS-T1-GE3 的市场应用潜力巨大,是工程师和设计师值得考虑的优质选型。