漏源电压(Vdss) | 20V | 连续漏极电流(Id) | 6A |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 38mΩ@4.5V,6A | 功率(Pd) | 1.6W |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 400mV@250uA | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 18nC@4.5V |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.3nF@10V | 反向传输电容(Crss@Vds) | 30pF@10V |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
SI3433CDV-T1-GE3 是一款由威世(VISHAY)公司生产的高性能P沟道MOSFET,采用细型SOT-23-6封装,特别设计用于表面贴装(SMT)应用。凭借其优越的电气性能和广泛的工作温度范围,该器件广泛应用于各种电子设备,包括电源管理、开关电路和汽车电子产品中。
封装与外观:
电气参数:
输入和输出特性:
工作环境:
SI3433CDV-T1-GE3拥有出色的电气特性和可靠性,适用于以下应用领域:
SI3433CDV-T1-GE3凭借其出色的电气性能和广泛的应用领域,成为电子设计工程师的理想选择。其小型化的封装、低功耗特性以及宽广的工作环境,使它在当今高效能电源解决方案中占据一席之地。通过采用了该MOSFET,设计师可以期待其在各种应用中的卓越表现以及长期的可靠性。