SI4160DY-T1-GE3 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SI4160DY-T1-GE3

商品编码: BM0000283491
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
8-SO
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.5W;5.7W 30V 25.4A 1个N沟道 SO-8
库存 :
5000(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
1.72
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.72
--
2500+
¥1.64
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

SI4160DY-T1-GE3参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)25.4A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4.9mΩ@10V,15A
功率(Pd)2.5W阈值电压(Vgs(th)@Id)2.4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)16.9nC@10V输入电容(Ciss@Vds)2.071nF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)168pF@15V工作温度-55℃~+150℃

SI4160DY-T1-GE3手册

SI4160DY-T1-GE3概述

SI4160DY-T1-GE3 产品概述

产品简介
SI4160DY-T1-GE3 是一款高性能 N 通道 MOSFET(场效应晶体管),由知名电子元器件制造商 VISHAY(威世)生产。其设计旨在满足现代电子设备在高效能与高集成度方面的需求,广泛应用于各种电源管理和信号传输电路中。

核心参数
该器件的封装类型为 8-SOIC(0.154",3.90mm宽),适合表面贴装(SMT)应用。其漏源极电压(Vdss)为 30V,能够在较高电压下安全稳定工作。该产品的连续漏极电流(Id)达到了 25.4A(在温度 Tc 的条件下),表现出色。

驱动与导通特性
SI4160DY-T1-GE3 的栅源电压(Vgss)范围为 ±20V,显著提高了其在不同电路环境中的适应能力。此器件在 10V 的工作条件下,具备极为出色的导通电阻,最大值为 4.9mΩ,在 15A 的电流条件下测量。此外,在栅电压(Vgs)为 10V 时,其栅极电荷(Qg)最大为 54nC,表明其响应速度较快,适合高频开关应用。

开关性能
在不同 Id 和 Vgs 条件下,SI4160DY-T1-GE3 还表现出较为合理的开启阈值电压(Vgs(th)),最大值为 2.4V,确保在低电压信号下也能顺利导通。而其输入电容(Ciss)在 15V 条件下最大为 2071pF,保证了开关过程中的低损耗,提高了整体效率。

热特性与功率耗散
该器件支持的工作温度范围为 -55°C 到 150°C(TJ),极大提高了其在严苛环境下的稳定性和可靠性。功率耗散方面,SI4160DY-T1-GE3 在环境温度(Ta)下最大功率可达 2.5W,而在结温(Tc)下可达 5.7W,适应了不同散热条件下的工作需求,便于设计师在电路设计中处理热管理。

应用场景
由于其优异的特性,SI4160DY-T1-GE3 MOSFET 被广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  • 开关电源(SMPS)
  • DC-DC 转换器
  • 电机驱动电路
  • 电池管理系统
  • LED 驱动电源
  • 计算机和通信设备的功率放大器

这些应用都需要以高效率和高稳定性为前提进行设计,SI4160DY-T1-GE3 的出色性能使其成为这些应用的理想选择。

总结
综上所述,SI4160DY-T1-GE3 是一款值得信赖的 N 通道 MOSFET,凭借其在电压、电流、开关特性以及热管理等方面出色的表现,能够为现代电子设备提供强大的支持。无论是在高效能电源管理,还是在各种复杂应用环境中,该器件均能展现出色的性能与稳定性,帮助电子设备实现更高效的运作。

对于设计师和工程师而言,选用 SI4160DY-T1-GE3 将为其电路设计提供更大的灵活性和可靠性,助力于开发更高效、可持续的电子产品。