类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 12A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 21mΩ@10V,8.4A |
功率(Pd) | 3.2W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.8V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 3.7nC@15V | 输入电容(Ciss@Vds) | 405pF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 56pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SI4178DY-T1-GE3 是一款由威世(VISHAY)生产的高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),其设计目标是满足高效能电子电路的需求。这款器件以其优越的电气特性和可靠性,广泛应用于电源管理、电动机驱动及各种高频开关应用中。
SI4178DY-T1-GE3 的设计使其特别适合以下几种典型应用:
SI4178DY-T1-GE3 MOSFET 的低导通电阻和高连续漏极电流使得它在高频应用中表现优异。其栅源阈值电压和栅极电荷特性,让其在驱动电路中保持较好的响应速度和控制能力,确保其快速切换的能力,适用于快速开关的需求。
当前的市场需求正在趋向于更高效能和更低功耗的电子元件,SI4178DY-T1-GE3 凭借其超高性能指标成为满足这一需求的理想选择。相较于传统组件,威世的这款 MOSFET 在功率损耗、热管理及整体电路性能方面展现了明显的优势。
SI4178DY-T1-GE3采用标准的8-SOIC封装,尺寸紧凑,适合表面贴装(SMD)技术,便于各种PCB设计中的集成,有助于提升自动化生产效率。同时,其设计确保了优秀的散热性能,适用于高热量及高功率输出的要求。
综上所述,SI4178DY-T1-GE3 MOSFET凭借其卓越的电气性能与可靠性,成为现代高效能电子设备中不可或缺的核心元件。无论是在提升能效、降低发热,还是在高频应用中的快速响应方面,它都表现得淋漓尽致,是设计工程师在选择高性能MOSFET时的优先考虑选项。