类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 200V |
连续漏极电流(Id) | 1.2A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.05Ω@10V,1A |
功率(Pd) | 3.7W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 10.6nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 666pF@50V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 25pF@50V | 工作温度 | -50℃~+150℃ |
SI7119DN-T1-E3 是一款由 VISHAY(威世)制造的高性能 P 沟道 MOSFET(场效应管),专为需要高效能和高耐压的电子应用设计,尤其适用于功率管理与控制电路。其封装采用 PowerPAK® 1212-8,具有优异的散热性能和小巧的尺寸,非常适合现代电子设备的紧凑设计。
漏源电压(Vdss): 200V
连续漏极电流(Id): 3.8A (25°C 时)
导通电阻(Rds(on)): 1.05Ω @ 1A, 10V
栅源极阈值电压(Vgs(th)): 4V @ 250µA
驱动电压(Vgs): 6V 至 10V(最大值)
最大功率耗散: 3.7W(Ta),52W(Tc)
工作温度范围: -50°C ~ 150°C
封装: PowerPAK® 1212-8
SI7119DN-T1-E3 MOSFET 适用于多种应用场景,包括但不限于:
SI7119DN-T1-E3 MOSFET 是一款性能卓越、功能多样的电子元器件。凭借其高耐压、低导通电阻、优异的功率处理能力,广泛应用于现代电子设备的各种高效电源管理和开关控制中。其小巧而高效的 PowerPAK® 1212-8 封装,确保了优秀的散热性能,进一步提升了系统的稳定性与可靠性。对于寻求高性能解决方案的设计工程师而言,SI7119DN-T1-E3 是一个极为理想的选择。