类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 35A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 10mΩ@10V,16.1A |
功率(Pd) | 4.2W;35.7W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.8V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 71nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 2.23nF@15V |
工作温度 | -50℃~+150℃@(Tj) |
SI7143DP-T1-GE3 是一款高性能的 P 沟道金属氧化物场效应管(MOSFET),由知名电子元器件制造商 VISHAY (威世)生产。该器件凭借其优越的电气性能和可靠的封装设计,被广泛应用于各种电子电路,特别是在电机驱动、电源管理和自动化控制等领域。本文将详细介绍该 MOSFET 的主要特点、应用场景以及优劣势。
漏源电压 (Vdss): 30V
连续漏极电流 (Id): 35A (在 25°C 时)
导通电阻 (Rds(On)): 10mΩ (在 16.1A,10V 时)
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 2.8V @ 250µA
功率耗散能力: 4.2W (Ta),35.7W (Tc)
工作温度范围: -50°C ~ 150°C
封装类型: PowerPAK® SO-8
栅极电荷 (Qg): 71nC @ 10V
由于其优良的电气特性,SI7143DP-T1-GE3 适合于多种应用环境:
优势:
劣势:
总之,SI7143DP-T1-GE3 是一款结合了高性能和广泛适用性的 P 沟道 MOSFET,它以其出色的电气特性和散热解决方案为各种电子设备提供可靠的支持。凭借 VISHAY 的品牌信誉和该器件卓越的技术规格,用户可以在其设计中充满信心地采用 SI7143DP-T1-GE3,以提升系统的效率和可靠性。