类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 27.8A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 23mΩ@10A,10V |
功率(Pd) | 5W;35.7W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.8V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 29.5nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 900pF@50V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
1. 概介
SI7456DDP-T1-GE3是VISHAY(威世)公司推出的一款高性能N沟道MOSFET,采用表面贴装型的PowerPAK® SO-8封装。该产品专为高效电源管理和快速开关应用而设计,适用于各种消费电子、工业控制及通信设备的电源转换系统。
2. 关键参数
导通电阻: 在10A、10V的条件下,SI7456DDP-T1-GE3最大导通电阻为23毫欧。这一特性使其在高电流传输场合中显示出极低的功耗,减少了发热量,提高了系统的能效。
驱动电压: 此MOSFET的驱动电压范围从4.5V到10V,支持宽范围的工作条件,保证了在各类驱动电路中的兼容性和灵活性。
连续漏极电流(Id): SI7456DDP-T1-GE3在25°C时,可以承载高达27.8A的连续漏极电流(Tc),为客户提供了可靠的高电流处理能力。
漏源电压(Vdss): 该MOSFET的额定漏源电压为100V,适用于中高压电源转换应用,能够安全地承受升高的电压条件。
功率耗散: 最大功率耗散为5W(环境温度Ta),而在结点温度(Tc)为25.7W,显示出其在高功率密度应用场合中的优良表现。
3. 适用温度范围
SI7456DDP-T1-GE3的工作温度范围为-55°C到150°C。这一广泛的工作温度范围保证了该MOSFET在极端环境下的稳定运行,满足不同工业应用的需求。
4. 其他特性
输入电容(Ciss): 在50V时,输入电容最大值为900pF,提供良好的频率响应,适用于高速开关应用。
栅极电荷(Qg): 在10V的条件下,其栅极电荷最大值为29.5nC,意味着在频繁开关过程中可以有效减少开关损耗,提高性能和效率。
栅源阈值电压(Vgs(th)): 该器件的Vgs(th)在250µA下的最大值为2.8V,展现了其良好的驱动特性,确保能够在较低的控制电压下开启。
5. 应用场合
SI7456DDP-T1-GE3因其出色的性能和高可靠性,可广泛应用于以下领域:
6. 结论
SI7456DDP-T1-GE3是一款功能强大且可靠的N沟道MOSFET,具备优异的电气特性和宽广的工作温度范围。它不仅在高电流、高温度及高电压环境中表现卓越,同时适用范围广泛,能够满足当前电子产品在能效和性能方面的严苛要求。选择SI7456DDP-T1-GE3,您将获得值得信赖的解决方案,以应对复杂多变的市场需求。