SI9435BDY-T1-E3
SI9435BDY-T1-E3参数
| 类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 5.7A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 42mΩ@10V,5.7A |
| 功率(Pd) | 2.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 24nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.1nF@15V |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 220pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SI9435BDY-T1-E3手册
SI9435BDY-T1-E3概述
SI9435BDY-T1-E3 产品概述
SI9435BDY-T1-E3 是一款高性能P沟道MOSFET，专为需要高效率和优秀热管理的电子电路而设计。它的额定漏源电压（Vdss）为30V，连续漏极电流（Id）在25°C时可达4.1A，适用于需要中等功率管理的应用场景，如电源开关、马达控制和负载开关等。
关键参数与特性
漏源电压（Vdss）: SI9435BDY-T1-E3 的漏源电压为30V，这意味着它可在较低电压下安全操作，适合多种低至中电压的应用。
连续漏极电流（Id）: 在25°C的环境条件下，该MOSFET能够承受最大4.1A的连续漏极电流，使其适合用于许多要求高电流承载能力的电路。
栅源极阈值电压: SI9435BDY-T1-E3 的栅源极阈值电压为3V@250µA。这一指标决定了MOSFET的开关特性，确保其在低电压下也能够快速导通。
导通电阻（Rds(on)）: 在5.7A和10V的驱动条件下，该MOSFET的漏源导通电阻最大为42mΩ，这意味着它在工作时将产生较低的热损耗，增强了整体系统的效率。
驱动电压与栅极电荷: 为了实现最优的导通状态，该器件的驱动电压在4.5V到10V之间工作。同时，在10V的驱动下，栅极电荷（Qg）为24nC，表示MOSFET在开关过程中的驱动能量消耗低。
功率耗散: SI9435BDY-T1-E3 的最大功率耗散达1.3W（在环境温度为25°C时），这使得其在热管理设计中具有良好的灵活性和可靠性。
工作温度范围: SI9435BDY-T1-E3 可以在-55°C到150°C的广泛温度范围内工作，意味着它适合在各种环境条件下稳定运行，特别适合航空航天、汽车和工业应用等需要高温和低温耐受力的领域。
封装与安装: 该MOSFET采用8-SOIC封装（0.154"，3.90mm 宽），是一种表面贴装型封装，适合高密度电路板设计，能够有效节省空间。
应用领域
SI9435BDY-T1-E3 被广泛应用于以下几个领域：
- 电源管理: 在开关电源设计中，SI9435BDY-T1-E3 可以作为高效的开关元件，帮助降低能量损耗，提高电源效率。
- 马达驱动: 在电机控制电路中，MOSFET可以用于驱动电机，提供更稳定的控制效果和更小的功耗。
- 负载开关: 在便携式设备和消费电子中，SI9435BDY-T1-E3 能够作为负载开关，有助于实现对设备的智能开关控制。
- 汽车电子: 由于其优秀的热稳定性和耐温特性，SI9435BDY-T1-E3 也被广泛应用于汽车电子设备中，如电动门窗、灯光控制等系统。
总结
SI9435BDY-T1-E3 是一款高性能的P沟道MOSFET，凭借其优异的电气特性和适应性，能够在众多电子应用中发挥作用。其小尺寸的SOIC-8封装适合高密度PCB设计，保证了更好的热管理和空间利用率。通过选择 SI9435BDY-T1-E3，设计师可以在确保高效性能的同时，进一步优化设备的整体设计。无论是在消费电子、工业控制还是汽车应用中，SI9435BDY-T1-E3 都是理想的解决方案。