SIA447DJ-T1-GE3 产品实物图片
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SIA447DJ-T1-GE3

商品编码: BM0000283506
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
PowerPAK® SC-70-6 单
包装 : 
编带
重量 : 
0.018g
描述 : 
Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
库存 :
9929(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
1.07
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.07
--
3000+
¥1.02
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

SIA447DJ-T1-GE3参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)12V
连续漏极电流(Id)12A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)13.5mΩ@4.5V,12A
功率(Pd)3.5W阈值电压(Vgs(th)@Id)400mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)31nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)2.88nF@6V
反向传输电容(Crss@Vds)585pF@6V工作温度-55℃~+150℃

SIA447DJ-T1-GE3手册

SIA447DJ-T1-GE3概述

产品概述:SIA447DJ-T1-GE3

概述

SIA447DJ-T1-GE3 是威世(VISHAY)公司推出的一款高性能 P 通道 MOSFET,为汲取电源管理和高频开关应用而设计。其具备优异的导通表现及低导通电阻,非常适合在高要求的工业应用中使用,包括但不限于电池管理系统、DC-DC 转换器、负载开关以及其他功率控制电路。该器件采用表面贴装型封装,便于自动化生产及改善热管理。

主要特性

  • FET 类型: P 通道 MOSFET,适合负电源应用。
  • 漏源电压(Vdss): 最高可承受 12V 的漏源电压,满足大多数低电压系统的需求。
  • 连续漏极电流 (Id): 最高可承受 12A 的电流,适合大功率的电流管理。
  • 导通电阻(Rds(on)): 在 4.5V 时,最大导通电阻为 13.5 毫欧 @ 7A,确保在高电流下损耗最小化,提高系统效率。
  • 栅极驱动电压: 具有灵活的驱动电压选项,最小 Rds On 可在 1.5V 和 4.5V 下达到其最佳性能,支持更广泛的驱动电平。
  • 阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 850mV @ 250µA,确保能够在较低的驱动条件下有效导通。
  • 栅极电荷(Qg): 在 8V 时最大栅极电荷为 80nC,适合快速开关应用,减少开关损耗。
  • 输入电容 (Ciss): 在 6V 时最大输入电容为 2880pF,平衡了开关速度与驱动要求。
  • 功率耗散: 最大功率耗散为 19W(Tc),适合高功率负载的应用。
  • 工作温度范围: 在 -55°C 至 150°C 的广泛温度范围内稳定工作,适用于恶劣环境条件下的应用。
  • 封装类型: PowerPAK® SC-70-6 表面贴装型封装,体积小,适合高密度安装与空间受限的设计。

应用领域

SIA447DJ-T1-GE3 被广泛应用于多个领域,其功能和特性使其在以下场景中表现优异:

  1. 电池管理系统(BMS): 在电池充放电过程中负责电流的控制,保障电池安全运行。
  2. DC-DC 转换器: 在降压与升压转换中,MOSFET 的快速开关特性能够提高转换效率,减少热量产生。
  3. 负载开关: 作为负载开启和关闭的控制器,可用于驱动各种电子负载,包括LED、大功率电机等。
  4. 逆变器: 在光伏和风能等可再生能源系统中的逆变器设计中,作为主要的功率开关元件。
  5. 各种开关电源: 由于其低导通电阻与优良的电流承载能力,能够优化电源效率。

结论

SIA447DJ-T1-GE3 以其卓越的电气性能、宽广的工作温度范围和小巧的封装设计,成为许多现代电子设备设计中的理想选择。无论是在需处理高电流的电源管理,还是对快速开关有高要求的应用中,该 MOSFET 都可有效地提高系统的可靠性和效率。选用 SIA447DJ-T1-GE3,将为您的产品增添强大的动力和灵活性,是现代电子设计中不可或缺的重要组件。