类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 12V |
连续漏极电流(Id) | 12A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 13.5mΩ@4.5V,12A |
功率(Pd) | 3.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 400mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 31nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 2.88nF@6V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 585pF@6V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SIA447DJ-T1-GE3 是威世(VISHAY)公司推出的一款高性能 P 通道 MOSFET,为汲取电源管理和高频开关应用而设计。其具备优异的导通表现及低导通电阻,非常适合在高要求的工业应用中使用,包括但不限于电池管理系统、DC-DC 转换器、负载开关以及其他功率控制电路。该器件采用表面贴装型封装,便于自动化生产及改善热管理。
SIA447DJ-T1-GE3 被广泛应用于多个领域,其功能和特性使其在以下场景中表现优异:
SIA447DJ-T1-GE3 以其卓越的电气性能、宽广的工作温度范围和小巧的封装设计,成为许多现代电子设备设计中的理想选择。无论是在需处理高电流的电源管理,还是对快速开关有高要求的应用中,该 MOSFET 都可有效地提高系统的可靠性和效率。选用 SIA447DJ-T1-GE3,将为您的产品增添强大的动力和灵活性,是现代电子设计中不可或缺的重要组件。