SIHA21N60EF-E3

产品概述：SIHA21N60EF-E3

SIHA21N60EF-E3 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），由知名电子元器件制造商 VISHAY（威世）生产。该MOSFET 设计用于高电压应用，能够承受 600V 的漏源电压（Vdss），并提供高达 21A 的连续漏极电流（Id），其出色的电气性能和兼容性使其在各种电源管理和开关应用中广泛使用。

主要参数：

1. 漏源电压（Vdss）：SIHA21N60EF-E3 的漏源电压高达 600V，使其适用于高电压环境，能够在多种高电压操作条件下稳定工作。

2. 连续漏极电流（Id）：在 25°C 环境温度下，该设备的连续漏极电流可达 21A，这为大功率应用提供了可靠的解决方案。

3. 栅源极阈值电压 (Vgs(th))：该MOSFET 的栅源极阈值电压为 4V @ 250µA，确保了在适宜的驱动电压下开关操作的准确性。

4. 导通电阻（Rds(on)）：在11A 和10V 的条件下，漏源导通电阻低至 176mΩ，结合较低的导通损耗，极大地增强了能效，并减少了热损失。

5. 驱动电压：它对于最大和最小 Rds(On) 的驱动电压为 10V，确保了MOSFET 在不同负载下能够达到最佳性能。

6. 温度范围：该器件具备宽广的工作温度范围，从 -55°C 到 150°C（TJ），适合在极端环境下运行，不易受到温度变化的影响。

7. 功率耗散：在 25°C 环境温度下，该MOSFET 具备35W 的最大功率耗散能力，符合高功率应用的需要求，可以助力系统的高效、高可靠性。

8. 输入电容 (Ciss)：在100V 的条件下，输入电容最大值为 2030pF，这意味着在开关操作时，器件的驱动要求相对较低，提高了整体的效率。

应用场景：

SUHA21N60EF-E3 MOSFET 在多个领域具有广泛的应用，主要包括：

• 开关电源：用于 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器等高能效电源系统。
• 电机驱动：可在电机控制和驱动应用中使用，实现高效和精确的控制。
• 逆变器：广泛应用于可再生能源行业，如太阳能逆变器和风能发电系统。
• 轨道和高压设备：适合用于高压和高功率负载的电气设备。

封装技术：

SIHA21N60EF-E3 采用 TO-220 封装（TO-220-3 整包），该封装类型不仅便于安装，而且具备良好的散热性能，确保在高负载工作条件下，MOSFET 能够保持良好的热稳定性和可靠性。

总结：

凭借其出色的电气性能和广泛的应用范围，SIHA21N60EF-E3 N 沟道 MOSFET 是电源电路设计中的理想选择，能够有效提高系统的性能和效率。作为高压应用中的一颗明星，SIHA21N60EF-E3 显示出了在现代电子技术中不可或缺的重要性，满足了市场对高效、可靠和高性能元件日益增长的需求。