类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 600V |
连续漏极电流(Id) | 33A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 99mΩ@10V,16.5A |
功率(Pd) | 278W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 150nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 3.508nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 6pF@100V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SIHB33N60ET1-GE3是由VISHAY(威世)公司生产的一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。该组件专为高电压和高电流应用而设计,最大漏源电压达600V,能连续提供33A的漏极电流,在高温环境下同样稳定工作,最高工作温度可达150°C。这使其非常适合在电源转换和大功率控制等领域中使用。
漏源电压(Vdss):
连续漏极电流(Id):
导通电阻(Rds(on)):
阈值电压(Vgs(th)):
栅极电荷(Qg):
耐压极限和功率耗散:
工作温度范围:
封装类型:
SIHB33N60ET1-GE3广泛应用于多个领域,包括但不限于:
SIHB33N60ET1-GE3是一款结合高电压、高电流和出色散热性能的N沟道MOSFET。凭借其低导通电阻和高功率耗散能力,该组件特别适合现代高效电源设计和工业控制系统。它的广泛应用范围和优越的性能指标使其成为高电压和高功率应用中理想的选择。