类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 60A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7.8mΩ@10V,20A |
功率(Pd) | 5.4W;83W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 66nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 2.35nF@50V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
SIR846ADP-T1-GE3 是一款由威世(VISHAY)推出的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),其设计旨在满足现代高效电源管理和开关应用的需求。以下是该产品的详细概述,涵盖其关键参数、应用场景以及优势。
SIR846ADP-T1-GE3 的主要技术参数包括:
SIR846ADP-T1-GE3 非常适合用于各种高效电源转换器和开关机制中。其主要应用领域包括但不限于:
该 MOSFET 的设计融合了先进的技术和高品质的制造工艺,为用户提供了多个显著优势:
综上所述,SIR846ADP-T1-GE3 作为一款高效N沟道MOSFET,不仅具备强大的电气性能和优良的热管理,还能在广泛的应用领域中灵活运用。其低导通电阻和高电流处理能力使其成为电源管理和其他高效率设计的理想选择,推荐给需要高性能、可靠性和稳定性的工程师和系统设计师。通过将 SIR846ADP-T1-GE3 应用于您的设计中,您可以更好地应对现代电子产品对效率和可靠性的双重挑战。