SIR872ADP-T1-GE3

SIR872ADP-T1-GE3 产品概述

产品简介

SIR872ADP-T1-GE3 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，采用 PowerPAK® SO-8 封装，专为高效能、低功耗的电子应用而设计。该器件具有优异的电气特性和广泛的工作温度范围，适用于电源管理、开关电源、马达驱动及高频应用等领域，能够满足现代电子产品对高效率和高可靠性的要求。

关键参数

1. 封装与种类：

   • 封装/外壳：PowerPAK® SO-8
   • FET 类型：N 沟道
   • 安装类型：表面贴装（SMT）

2. 电气特性：

   • 漏源极电压 (Vdss)：150V
   • 栅源电压 (Vgss)：±20V
   • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：53.7A (Tc)
   • 驱动电压：7.5V 至 10V（最大 Rds On，最小 Rds On）
   • 导通电阻 (Rds(on))：18 毫欧 @ 20A，10V
   • 阈值电压 (Vgs(th))：4.5V @ 250µA
   • 栅极电荷(Qg)：47nC @ 10V
   • 输入电容 (Ciss)：1286pF @ 75V

3. 功耗与温度特性：

   • 功率耗散：6.25W（Ta），104W（Tc）
   • 工作温度范围：-55°C ~ 150°C（TJ）

应用领域

SIR872ADP-T1-GE3 的高功率处理能力和低导通电阻使其非常适合以下应用：

1. 开关电源： 由于其优异的电气特性，该 MOSFET 可用于高效率的开关电源回路，支持从电源到负载的高效能传输。

2. 电机驱动：该器件能够处理较高的漏极电流，适用于各类小型电机的驱动，如步进电机和直流电机，实现快速响应和高效能控制。

3. DC-DC 转换器：在降压（Buck）或升压（Boost）应用中，SIR872ADP-T1-GE3 能够提供极低的导通损耗，提高整体转换效率。

4. 高频开关应用：随着开关频率的提高，该器件的较低栅极电荷使其适合于高频应用，降低了开关损耗和EMI（电磁干扰）。

5. 电源管理解决方案：基于其广泛的工作温度范围和良好的热性能，SIR872ADP-T1-GE3 适合各类电源管理解决方案，从便携设备到工业设备都能找到适用场景。

优势与特点

• 高可靠性： SIR872ADP-T1-GE3 在-55°C 到 150°C 的宽工作温度范围内运行，适用于极端环境和高可靠性要求的应用场景。

• 低热阻： 该器件的设计提供了极低的热阻，有助于在高功率运行时减少温度升高，增强了整体可靠性。

• 强的电流承载能力： 提供高达53.7A的漏极电流，适合需要高峰流量的应用。

• 优异的导电性： 低导通电阻确保电子计量的低能耗，提升整体设计的能效。

总结

SIR872ADP-T1-GE3 是一款高效、可靠的 N 通道 MOSFET，凭借其出色的性能参数和广泛的应用前景，成为现代电子产品设计中的理想选择。无论是在开关电源、电机驱动还是高频电路中，这款器件都能满足设计工程师对于性能和效率的严格要求。威世作为全球知名的半导体制造商，以其卓越的制造工艺和技术支持，确保 SIR872ADP-T1-GE3 的品质和用置信赖性，是电子产品设计的重要组成部分。