类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 309A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 23.5mΩ@10V,10A |
功率(Pd) | 3.7W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 9.5nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 802pF@50V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 19.1pF@50V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SIS890DN-T1-GE3 是威世(VISHAY)公司推出的一款 N 沟道金属氧化物场效应管(MOSFET),它采用 PowerPAK® 1212-8 的封装形式,设计用于中高压功率开关、逆变器和电源管理等领域。该器件具有出色的电气性能与热特性,适用于高可靠性应用。
该 MOSFET 的主要电气参数包括:
该器件能够在-55°C 至 150°C 的广泛温度范围内工作,适应于各种严苛的环境条件。同时,它采用 PowerPAK® 1212-8 的表面贴装型封装,拥有良好的热性能和空间利用率,使其在现代电子设备中易于集成。
SIS890DN-T1-GE3 的设计可以广泛应用于以下领域:
SIS890DN-T1-GE3 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,凭借其卓越的电气特性、广泛的工作温度范围及可靠的热管理能力,使其成为现代电功率管理和转换应用中的优选器件。无论是在电源设计、汽车电子还是工业自动化领域,这款器件均表现出色,带来了更高的效率与性能,非常适合各类高效能电子设备的应用需求。