SIS890DN-T1-GE3 产品实物图片
SIS890DN-T1-GE3 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SIS890DN-T1-GE3

商品编码: BM0000283519
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
PowerPAK® 1212-8
包装 : 
编带
重量 : 
0.176g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 3.7W;52W 100V 30A 1个N沟道 PowerPAK1212-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
2.62
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.62
--
3000+
¥2.51
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

SIS890DN-T1-GE3参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)309A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)23.5mΩ@10V,10A
功率(Pd)3.7W阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)9.5nC输入电容(Ciss@Vds)802pF@50V
反向传输电容(Crss@Vds)19.1pF@50V工作温度-55℃~+150℃

SIS890DN-T1-GE3手册

SIS890DN-T1-GE3概述

SIS890DN-T1-GE3 产品概述

一、产品基本信息

SIS890DN-T1-GE3 是威世(VISHAY)公司推出的一款 N 沟道金属氧化物场效应管(MOSFET),它采用 PowerPAK® 1212-8 的封装形式,设计用于中高压功率开关、逆变器和电源管理等领域。该器件具有出色的电气性能与热特性,适用于高可靠性应用。

二、电气特性

该 MOSFET 的主要电气参数包括:

  • 漏源电压(Vdss):100V,表示该器件所能承受的最大漏极到源极的电压。
  • 连续漏极电流(Id):在 25°C 环境温度下,SIS890DN-T1-GE3 的连续漏极电流可达 30A,适合用于较高电流应用。
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)):该产品在 250µA 的条件下,其阈值电压为 3V,这意味着驱动电路只需超过此电压即可使 MOSFET 导通。
  • 漏源导通电阻(Rds(on)):在 10A 和 10V 驱动条件下,导通电阻为 23.5mΩ,具有非常低的导通损耗,有助于提高系统的整体效率。
  • 最大功率耗散:在环境温度为 25°C 时,最大功率可达到 3.7W,而在更高的结温条件下,最大功率耗散可达到 52W,充分展示了其热管理能力。

三、其他参数

  • 驱动电压:该 MOSFET 的驱动电压分为两个档位,分别为 4.5V 和 10V,这对于不同的电路设计较为友好,提供了更大的灵活性。
  • 栅极电荷 (Qg):在 10V 驱动下,栅极电荷最大值为 29nC,这有助于减少开关损耗,适合快速开关应用。
  • 输入电容 (Ciss):在 50V 工作条件下,输入电容最大值为 802pF,这对高频开关应用提供了良好的适配性。

四、工作温度及封装

该器件能够在-55°C 至 150°C 的广泛温度范围内工作,适应于各种严苛的环境条件。同时,它采用 PowerPAK® 1212-8 的表面贴装型封装,拥有良好的热性能和空间利用率,使其在现代电子设备中易于集成。

五、应用场景

SIS890DN-T1-GE3 的设计可以广泛应用于以下领域:

  • 电源管理:适用于高效率开关电源(PSU)和DC-DC 转换器。
  • 汽车电子:在电动汽车、混合动力汽车的功率转换电路中,我们可以找到它的身影。
  • 变频器:该 MOSFET 适合用于电动机驱动、逆变器等变频控制应用。
  • 工业设备:高效能的电源模块和其他工业自动化设备也能利用该芯片的特性。

六、总结

SIS890DN-T1-GE3 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,凭借其卓越的电气特性、广泛的工作温度范围及可靠的热管理能力,使其成为现代电功率管理和转换应用中的优选器件。无论是在电源设计、汽车电子还是工业自动化领域,这款器件均表现出色,带来了更高的效率与性能,非常适合各类高效能电子设备的应用需求。