STF11NM80 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

STF11NM80

商品编码: BM0000283639
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
TO-220-3 整包
包装 : 
管装
重量 : 
2.4g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 35W 800V 11A 1个N沟道 TO-220FP
库存 :
33(起订量1,增量1)
批次 :
5年内
数量 :
X
6.44
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥6.44
--
1000+
¥6.22
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

STF11NM80参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)11A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)400mΩ@10V,5.5A
功率(Pd)150W阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)43.6nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.63nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)30pF@25V工作温度-65℃~+150℃

STF11NM80手册

STF11NM80概述

STF11NM80 产品概述

STF11NM80 是由意法半导体(STMicroelectronics)制造的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。作为一款适用于高压应用的功率电子元器件,STF11NM80 的主要特点包括其高达 800V 的漏源电压(Vdss)、11A 的持续漏极电流(Id),以及在 25°C 下表现出的低导通电阻。该器件的典型应用领域涵盖了电机驱动、开关电源、逆变器和其他需要高效率和高功率密度的电力转换应用。

关键参数

  1. 电压与电流特性

    • 漏源电压(Vdss): 800V,适合于高压环境下的操作。
    • 连续漏极电流(Id): 11A(Tc),确保在各种负载条件下的稳定性和可靠性。
  2. 导通电阻

    • 在 Vgs = 10V 时,导通电阻(Rds On)为最大 400 毫欧,表明其低导通损耗特性,有助于提高整体效率,降低发热量。
  3. 栅极电压特性

    • 该器件的栅极阈值电压 (Vgs(th)) 最大值为 5V @ 250µA,确保 MOSFET 能够在较低的栅极电压下有效导通。
    • 栅极电压 (Vgs) 的最大值为 ±30V,提供了额外的设计灵活性和安全裕度。
  4. 驱动和开关特性

    • 栅极电荷 (Qg) 的最大值为 43.6nC @ 10V,表示器件的开关速度,适合于快速开关电源和高频应用。
    • 输入电容 (Ciss) 为最大 1630pF @ 25V,能够对输入信号保持良好的响应特性。
  5. 功率与热管理

    • 最大功率耗散能力为 35W(Tc),确保在高功率应用中能够有效散热,防止过热导致的损坏。
    • 工作温度范围极宽,-65°C 至 150°C,适应各种恶劣环境。
  6. 封装与安装

    • STF11NM80 采用 TO-220FP 封装类型,便于散热和安装,且适合于各种通孔安装设计。

应用场景

STF11NM80 因其卓越的电气特性和可工程化的设计而广泛应用于多个领域。其主要应用场景包括但不限于:

  • 开关电源: 利用其高效率和快速开关能力,多用于电压转换和电源管理系统中,提高电源转换效率。
  • 逆变器: 在太阳能逆变器和电动车驱动等领域中,通过有效控制功率流实现能量转换。
  • 电机驱动: 在工业电机、家电及自动化设备中采用,提高了系统的性能和响应速度。
  • LED 驱动电路: 由于其低导通电阻特性,广泛应用于高功率 LED 照明驱动电路。

结论

STF11NM80 是一款优秀的 N 通道 MOSFET,凭借其高电压、高电流和优良的热管理特性,使其成为高压应用中的理想选择。意法半导体作为这一领域的领导者,凭借其卓越的设计和制造工艺,为电力电子行业提供了强有力的技术支持。结合其广泛的应用领域和高性能特征,STF11NM80 非常适合于各种现代电力转换和控制系统中,帮助设计工程师实现高效的解决方案。