类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 800V |
连续漏极电流(Id) | 11A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 400mΩ@10V,5.5A |
功率(Pd) | 150W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 43.6nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.63nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 30pF@25V | 工作温度 | -65℃~+150℃ |
STF11NM80 是由意法半导体(STMicroelectronics)制造的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。作为一款适用于高压应用的功率电子元器件,STF11NM80 的主要特点包括其高达 800V 的漏源电压(Vdss)、11A 的持续漏极电流(Id),以及在 25°C 下表现出的低导通电阻。该器件的典型应用领域涵盖了电机驱动、开关电源、逆变器和其他需要高效率和高功率密度的电力转换应用。
电压与电流特性
导通电阻
栅极电压特性
驱动和开关特性
功率与热管理
封装与安装
STF11NM80 因其卓越的电气特性和可工程化的设计而广泛应用于多个领域。其主要应用场景包括但不限于:
STF11NM80 是一款优秀的 N 通道 MOSFET,凭借其高电压、高电流和优良的热管理特性,使其成为高压应用中的理想选择。意法半导体作为这一领域的领导者,凭借其卓越的设计和制造工艺,为电力电子行业提供了强有力的技术支持。结合其广泛的应用领域和高性能特征,STF11NM80 非常适合于各种现代电力转换和控制系统中,帮助设计工程师实现高效的解决方案。